简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究，在近完整晶体内近中心的（001）和（010）结晶学平面观察到生长带，生长方向平行于（100）和（010）。在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

简介：首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂，用Opton大型显微镜反射法观察，观测到（100）面和（021）面的位错蚀坑以及（021）面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出（001）面、（010）面和（100）面形貌面，从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出，Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

简介：摘要：本研究旨在探究碳化硅晶体的缺陷与电学特性之间的关系。通过系统性的实验分析，发现不同类型的晶体缺陷与电学性能之间存在密切关联，为深入理解碳化硅材料的性能提供了重要线索。本文结合电学测试和缺陷表征，揭示了晶体缺陷对电子迁移率、载流子浓度等电学特性的影响机制。结果不仅拓展了对碳化硅材料的认知，也为材料的进一步优化与应用提供了有力支持。

简介：利用传输矩阵法理论，研究介质光学厚度对一维光子晶体（AB）5（ACB）2（AB）5缺陷模的影响，结果表明：随着介质A、B或C的光学厚度按奇数倍、偶数倍增大时，光子晶体主禁带中的缺陷模均向禁带中心移动，出现缺陷模向禁带中心简并的趋势，且光学厚度按奇数倍增加时简并的趋势更明显，同时缺陷模移动速度以A介质光学厚度奇数倍增大时为最快；当介质A、B或C的光学厚度按奇或偶倍数增大到一定数值时，均出现对称分布于禁带中心两侧的新缺陷模，而且光学厚度按偶数倍增大时出现的新缺陷模要比偶数倍增大时的快。介质光学厚度对光子晶体缺陷模的影响规律，对光子晶体设计窄带多通道光学滤波器件、高灵敏度光学开关等具有积极的参考意义。

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：运用光学传输矩阵理论,深入研究了由一种各向异性材料组成的一维光子晶体中TE模式和TM模式中缺陷态的频率分布与缺陷层宽度之间的关系。与布拉格带隙相比,这种新型的光子晶体可以通过改变偏振方向实现缺陷态密度的改变。得出将高折射率层与外界接触时态密度最低并最适合于滤波特性的结论。对制作偏振变化滤波器方面和缺陷宽度控制滤波频率方面有重要的指导意义和应用价值。

简介：采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

简介：研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著，KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

简介：LiNdP4O12(LNP）晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷，观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构，对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽，分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

简介：研究了光脉冲通过光子晶体线缺陷波导的透射特性.分析发现光子晶体线缺陷波导的透射行为与波导的几何尺寸有关.通过调制波导的几何结构可以获得较平坦的透射谱.另外发现耦合线缺陷所选择的点缺陷是影响线缺陷波导透射特性的重要因素,通过调节点缺陷的尺寸,缺陷间可以很完美的耦合并获得超平坦的杂质带.该分析结果为光子晶体线缺陷波导的设计提供重要参考.

简介：应用Onshell方法研究带缺陷的二维光子晶体,缺陷的引入使得原来不透电磁波的禁带中,出现了缺陷模,即某一频率的电磁波可以透过,计算表明缺陷模的频率与透过率随着缺陷的性质及缺陷两边的层数而改变

简介：报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本文除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

简介：通过基于第一性原理的CASTEP计算发现，KDP晶体中Si代P点缺陷的形成能约是12．18eV，比较难在晶体中形成。模拟了此种点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度，发现Si替代P后，晶体带隙宽度几乎没有变化，说明这种点缺陷不会引起晶体对光的额外吸收。Si替代P点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变，对晶体整体结构影响不大。

简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。

简介：本文利用时域有限差分法，在T型光子晶体波导内引入缺陷，改变介质柱缺陷半径的大小、位置来研究T型光波导两个输出端口的透射率。得到了引入对称缺陷的透射谱，以及引入非对称缺陷时两输出端透射比随波长的变化关系，最大透射比过到八比一。结果表明引入柱缺陷可以改变光波导的透射率，很好的控制光的传播，研究结果对光通信用光分柬器和多路光分复用器的设计有着一定的理论指导意义。

简介：摘要：本文采用平面波展开法对由密度值相差较大的钢与环氧树脂构成的正方柱三角晶格二维声子晶体进行了数值分析；从声子带隙数目、带隙相对宽度等方面，分析并讨论了结构中不同角度下的线缺陷对声子带隙的影响。结论表明，当线缺陷的角度为60o时，带隙的宽度明显增大，但当线缺陷的角度继续增大时，带隙的宽度明显减小；此外，在填充率为0.1-0.9范围内，随着线缺陷角度的增加，带隙中最大带隙数目呈明显减少趋势。

简介：摘要：对声子晶体及其二维正方晶格声子晶体研究进展进行了概述；采用平面波展开法和超元胞法对正方柱正方晶格铝--环氧树脂二维声子晶体带隙特性及缺陷态特性、长方柱正方晶格钢--环氧树脂二维声子晶体带隙带隙特性及缺陷态特性进行了数值分析。

简介：

简介：运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界和亚晶界，而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰的旁埃斑。