简介:介绍了—种快速填盲孔电镀铜工艺,镀液的基本墨目成和工艺条件是:CuSO4·5H3O210g/L,H2SO485g/L,Cl-50ng/L,湿润剂C(环氧乙烷与环氧丙烷缩聚物)(5-30)ml/L,整平剂L(含酰胺的杂环化合物)(3~16)ml/L,加速剂B(苯基聚二硫丙烷磺酸钠)(0.5-3)ml/L,温度23℃,电流密度1.6A/dm2,阴极摇摆15回/min或空气搅拌。研究了湿润剂C,整平剂L和加速剂B对盲孔填孔效果的影响,结果表明湿润剂C与加速剂B用量对填孔效果影响较大,而整平剂L影响较小。加入适量的该添加剂体系到基础镀液中,常规的HDI盲孔(孔径100μm~125μm,介质厚度75um)在表面镀层厚度12μm-15μm时,可以实现填孔率大于95%,得到铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板技术要求。此外,本研究测定了该添加剂体系填孔过程,明确其药水爆发期在起镀的(15~20)min,而且爆发期期间孔内的沉积速度是表面的至少11倍。
简介:摘要PCB业界常用的深镀能力(TP)计算方法是孔壁6点的平均镀铜厚度与板两面孔口周围的平均镀铜厚度的比值。该方法通常适用于钻孔密度比较低的电路板,但是对于钻孔密度较高而且厚径比较高(AR>61)的电路板,这种计算方法不能反映电镀液的真实能力,生产中会出现密集孔内的镀铜厚度不满足客户要求的问题。本文结合电镀理论和生产实践验证,提出一种新的电路板密集孔的电镀能力评估方法,即CPD概念,计算方法是密集孔内的6点平均镀铜厚镀与板两面无孔区平均镀铜厚度的比值,该比值越大,表面药水对密集孔的电镀性能越好。该方法应用于生产,能更准确地制定电镀参数和评估电镀添加剂的性能。
简介:摘要:碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性,被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性,Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求,因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体(ICP)对SiC进行刻蚀,目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响;其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中,因此镍的耐刻蚀性很重要,在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比(SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值),在同等刻蚀条件下,镍消耗少,SiC/Ni的选择比就高,则所需镍层就薄,从而减少了工艺时间,提高了工艺效率。