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  • 简介:采用脉冲激光沉积法,以元素比例为In:Ga:Zn=1:1:1的InGaZnO靶材作为实验靶材,在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm,宽长比为5:1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出,经过退火处理后,器件的各种参数均得到了提高:阈值电压为5.88V,开关比提高到10^5,且关态电流为pA量级,S仅为1.1V/decade,且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

  • 标签: INGAZNO SiO2 退火 TFT
  • 简介:日本2006年供应2006年日本供应为134.4t。国内DOWA公司生产新锭8t,比2005年减少2t。进口33.5t,比2005年减少22%。其中,从法国进口4.581t(4~7N):中国12.344(4N):匈牙利0.7t(4N);美国2.352t(6N);俄罗斯2.2t(4N);乌克兰0.3t(4N);台湾11.072t(2N)。

  • 标签: 匈牙利 俄罗斯 乌克兰 供应 日本
  • 简介:摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果,表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC,可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小, NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大,器件整流比较小,势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此,要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中,还需要进一步提高外延 Ge质量。

  • 标签: Si基外延 Ge 肖特基势垒 MOSFET NiGe薄膜 热稳定性
  • 简介:运用动力学蒙特卡罗方法模拟两种原子组成的薄膜外延生长时形成纳米团簇的过程。通过分析原子相互作用能和相分离的关系,发现动力学影响对纳米团簇的形貌起主导作用。给出原子发生分离时相互作用能满足的条件为(EAA+EBB-2EAB)〉0,动力学MonteCarlo模拟结果也同样显示,在适当高的温度范围内,当两种原子的相互作用能满足(EAA+EBB-2EAR)〉0条件时,分子外延薄膜生长会趋于相分离进而形成纳米团簇。

  • 标签: 动力学蒙特卡罗模拟 处延生长 纳米团簇 相分离
  • 简介:摘要:本文研究了加热器对分子束外延装置生长薄膜的影响与优化方法。探讨了加热器参数对薄膜生长过程中的温度分布、薄膜质量和结晶性能的影响。在此基础上,提出了一些优化加热器参数的策略,以改善薄膜的生长质量和性能。

  • 标签: 加热器 分子束外延 薄膜生长 优化 结晶性能
  • 简介:本文介绍了微量元素的代谢、毒性及药代动力学特性,着重介绍作为亲肿瘤剂和强骨固钙剂在治疗癌症和骨病中的可能前景。

  • 标签: 微量元素 抗癌剂 高钙血症
  • 简介:语文与生活同在,它的外延与生活外延相等。《语文课程标准》中指出:“语文课程要加强综合性,沟通与其他学科之间的联系,沟通与生活的联系,在语文课程中学到其他方面的知识和方法在其他课程、其他场合中也可以学到语文,拓宽学语文用语文的天地。”

  • 标签: 《语文课程标准》 外延 生活 相等 其他学科 中学
  • 简介:的国际市场行情从2006年秋季开始上扬,2007年开始由于需求增加,供应减少,价格有加速上涨的趋势。2001年年中的国际市场价格暴涨到2300美元他,之后暴跌到250美元/kg。2003年末到2004年为300美元/kg,2005年下半年至2006年年中一直徘徊在350美元/kg的水平。这几年需求也没有发生较大变化。但到2006年下半年,价接近400美元/kg。至2007年2月已上升至400-450美元/kg。

  • 标签: 价格上涨 供应 国际市场价格 市场行情 美元
  • 简介:建立了x射线荧光光谱法测定酸钠溶液中的和钒含量的方法,通过塑料样品杯和麦拉膜封装液体样品,测定中添加仪器自带Zn、Cr两种影响元素排除干扰,减少x射线荧光光谱仪对样品测定结果的偏差,即可得出和钒在样品中的含量。结果表明,方法的相对标准偏差(RSD)小于3%,加标回收率为93.33%~102.1%,可实现金属生产过程中的物料成分快速检测。

  • 标签: X射线荧光光谱法 镓酸钠溶液
  • 简介:建立了在酸法生产金属过程中,用NH1F掩蔽溶液中的铝,加入过量的EDTA标准溶液使之与元素完全络合,调整条件试剂硼酸溶液和无水乙醇的加入量,保证终点的准确判断,过量EDTA以PAN为指示剂用硫酸铜标准溶液回滴求得液体物料中含量的分析方法。实验表明,方法的相对标准偏差(RSD)为2.8%~6.5%,加标回收率为97.14%~104.0%。方法有较高的准确性和可靠性,且测定结果精密度高,可实现酸法生产金属液体物料中含量的快速检测。

  • 标签: 酸法生产金属镓 液体物料 镓元素 EDTA容量法
  • 简介:当今社会.“责任”使用率可谓频繁。究其内涵来讲,无论理解的还是不完全理解的.都已经深入人心,然而对其外延,也许尚有丰富完善之处。言及企业管理,责任管理应该是高于一切的管理。但在实际管理中,笔者发现了一个较为普遍的现象:许多人在理解“责任”二字时,特别强调了属于自己的工作范围、

  • 标签: 责任管理 外延 企业管理 使用率
  • 简介:摘要:文中分析了金属生产现状,浅谈结晶法的原理,指出结晶法是生产中初步提纯过程中操作简单,易控制,成本低,可广泛应用于生产的酸法工艺和碱法工艺中。

  • 标签: 母液 金属镓 铜 汞
  • 简介:世界上只有少数国家有矿石产出,和铜、铟、硒等元素均应用于太阳能电池和半导体激光器等新处理、新器件,属于稀缺资源。据日本媒体《日刊工业新闻》报道,日本法政大学明石孝也教授的研究组开发出以高浓度从矿石等物质中提取微量金属的技术。除矿石外,利用该技术也可以从废旧电子设备等含量较少的物质中回收金属

  • 标签: 回收镓 技术 日本 浓度 开发 半导体激光器
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:骨质疏松症是一类"以低密度和骨组织结构破坏为主要特点的全身骨骼性疾病",目前居全球常见病第六位,其危害日益严峻。尽管治疗骨质疏松的药物多种多样,但每种药品都有其自身的缺点,为达到个体化用药目的,开发新型骨质疏松药物仍是国内外关注的热点。(gallium,Ga)为硼族元素,国内外有很多实验表明其有很好的抗骨质疏松作用,使其有希望成为新一代抗骨质疏松药,本文就治疗骨质疏松的实验研究、作用机理、以及尚存在的问题等方面做一阐述。

  • 标签: 骨质疏松 药物治疗