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14 个结果
  • 简介:本论文介绍了钎焊金刚石的一种新工艺。经真空微蒸发钛的金刚石颗粒,采用电镀方法下一步复合镀覆金属镍,在金刚石表面形成一种复合支。因为这种复合镀层与金刚石界面结合,采用高频感应加热的方法,选胜使用合适的钎料,在空气中可以顺利实现金刚石与金属基体的焊接。结果表明,钎料与金刚石之间完全润湿,金刚石与基体焊接牢固,利用钎焊导向棒测定其界面结合强度达到140MPa。

  • 标签: 复合镀层 钎焊 表镶金刚石工具
  • 简介:本发明涉及一种金属工件表面渗金刚石工艺。它包括电解活化、热水清洗、盐酸活化、热水清洗、渗处理、热水清洗、冷水清洗、低温回火等工序,其特征是渗处理及电解活化工序的渗液和电解液采用特殊的成分及配比和工艺规范,将超细化的金刚石微粒渗至金属工件表面,从而使金属工件表面获得超强性能,可全面提高工件的使用寿命,据测试,

  • 标签: 金属工件 表面 低温回火 金刚石 工序 工艺规范
  • 简介:在金刚石工具中钛金刚石能增加胎体对金刚石的把持力,这只是在金刚石钛工艺合理的条件下才能实现。否则不但没有好处,还会产生较大的负面影响。

  • 标签: 工艺 金刚石工具 镀钛 胎体 增加 问题
  • 简介:本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜,反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明:随着CH4流量的增加,金刚石的成核密度增加,并出现二次形核,金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层,金刚石在非晶碳层上成核长大,并伴随着二次成核,最终形成多晶金刚石膜。

  • 标签: 多晶金刚石薄膜 MPCVD 生长特性 化学气相沉积系统 单晶硅衬底 RAMAN光谱
  • 简介:以真空微蒸发镀覆技术为核心,围绕各类高性能超硬材料工具的不断开发应用,目前已经形成了超硬磨料镀覆金属化系列产品。包括镀覆单一金属的超硬磨料,如钛、钨的金刚石;镀覆合金的超硬磨料,如钛-铬合金的金刚石;真空微蒸发镀覆之后再经电镀形成的多层复合超硬磨料,如复合Ti-Ni具质量、降低制造成本和新产品开发有显著作用。

  • 标签: 金刚石 真空微蒸发镀钛 超硬材料 金属化
  • 简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。

  • 标签: 热丝化学气相沉积(HFCVD) 金刚石 两步生长法 大面积
  • 简介:CVD金刚石可以用各种方法合成,其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜,并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是,热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径,以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下:(1)随着沉积压力的降低,金刚石晶粒尺寸减小,成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加,金刚石晶粒尺寸减小,成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流,但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加,金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。

  • 标签: 工艺 合成金刚石 沉积 合成 成核密度 结晶性
  • 简介:作为材料的重要性质之一,硬度一直受到人们广泛的重视和研究。Cohen和Liu利用第一性原理计算从理论上预言了一种超硬性能的新材料β—C3N4,其体积弹性模量超过金刚石。CVO3组采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在单晶Si(100)和多晶Pt衬底上沉积碳氮薄膜,开展了对β-C3N4薄膜的制备与表征的探索性研究,取得了一定的进展。

  • 标签: 超硬材料 金刚石 β-C3N4薄膜 微波等离子体化学气相沉积法