简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。

简介：据报道，科技部和教育部日前联合新认定了12家创新环境好、创新资源聚集、成果转化和科技企业孵化绩效显著、地方政府高度重视的大学科技园为国家大学科技园。

简介：“厚德博学，志存高远”是四川大学储伟教授的座右铭，正是坚持着这样的信念，储伟教授认真钻研、严谨治学，在纳米催化剂研究领域取得了累累硕果。近期，我刊对储教授进行了采访，言谈中处处展示着我国纳米科技研究新生代的勃勃生机。

简介：徐光宪，男，汉族，1920年11月7日出生于浙江省绍兴上虞市，著名物理化学家，无机化学家，教育家，中国科学院院士。中国共产党党员，中国民主同盟盟员。1939年毕业于宁波高级工业职业学校（浙江工业大学前身），1944年毕业于交通大学化学系。1946年任交通大学化学系助教。1947年赴美留学，1951年获美国哥伦比亚大学物理化学博士学位，1951年4月回国。1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。