简介：利用CVI法,在两种不同类型的国产SiC纤维束中引入(PyC/SiC)4或(PyC/SiC)8多层界面,并进一步致密化,制备含不同纤维种类和界面类型的SiCf/SiCMini复合材料。研究纤维种类和界面类型对SiCf/SiCMini复合材料力学性能和断裂机制的影响。结果表明:致密化的SiCf/SiCMini复合材料已形成一个整体,在纤维和基体连接处可观察到明显的界面层,且界面厚度均匀;A/(PyC/SiC)4/SiC、B/(PyC/SiC)4/SiC、A/(PyC/SiC)8/SiC三种SiCf/SiCMini复合材料的最大拉伸强度分别达到466,350和330MPa,最终拉伸应变分别达到0.519%,0.219%和0.330%;拉伸断口均有纤维拔出,且随纤维种类或界面类型不同,纤维拔出长度和断口形貌有所差异。其中A/(PyC/SiC)4/SiC以ModelⅡ断裂机制发生断裂,B/(PyC/SiC)4/SiC和A/(PyC/SiC)8/SiC以ModelⅠ断裂机制发生断裂。

简介：Photoluminescenceevaluationofpandntype6H-SiCsampleshasbeendone.Resultsshowthatatlowtemperaturethephotoluminescenceof6H-SiCisclearlydominatedbydonor-acceptorpairtransitions,insomecase,free-to-donortransitioncouldbeobservedathighertemperature.Thethermalquenchingprocessesofthephotoluminescencehavebeeninvestigatedtodeterminethepossibleionizationnenergiesoftheimpurities.

简介：本文总结了不同体系的SiC纤维增强Ti基复合材料的界面反应特点。界面反应产物通常呈层状分布,产物类型与基体种类和纤维涂层的种类有关。如当基体为!型或!＋β型钛合金,且SiC纤维表面存在C涂层时,界面反应产物通常为TiC（对于SCS-6SiC纤维还存在一层硅化物Ti5Si3）,且靠近纤维的TiC晶粒非常细小,而靠近基体一侧的TiC晶粒相对粗大;当基体为Ti-Al金属间化合物（如super!2、Ti2AlNb、g-TiAl）时,界面反应产物除了含二元Ti的碳化物外,还存在Ti-Al-C的三元化合物,如Ti3AlC或Ti2AlC。

简介：SiC/Si<潜水艇class=“a-plus-plus”>3N<潜水艇class=“a-plus-plus”>4合成是用自我繁殖的高温度的燃烧合成-Si3N<潜水艇class=“a-plus-plus”>4粉末和适当数量原文如此搽粉。两个都，sintering添加剂，系统被使用，它是YAN(Y2O3艾尔2O3AlN)并且YN(Y2O3AlN)。影响在SiC/Si的sintering行为上原文如此满意<潜水艇class=“a-plus-plus”>3N<潜水艇class=“a-plus-plus”>4合成被调查。结果证明有二个sintering添加剂系统的样品的密度，收缩，弯曲力量，坚硬，和破裂坚韧随内容的增加增加第一原文如此然后甚至当原文如此内容不断地增加时，减少。样品的重量损失的趋势是相反的。有最好的机械性质的样品原文如此满意在二个系统是不同的。为YAN系统，当原文如此内容到达10时，样品的最好的机械性质被获得?%，当至于YN系统它是5时?%。YN样品的性质比YAN样品优异。J阶段(2Y2O3吠敨爠畯整漠?灡汰楹杮氠睯瀠敲獳牵?景???慐漠?桴?獡搭獩牰灯牯楴湯瑡摥朠敲湥挠浯慰瑣搠牵湩?桴?敤潳灲楴湯爠'啼礃A慮楴湯瀠潲散獳椠?楳畴栠瑯搠晥牯慭楴湯椠??灳牡?汰獡慭猠湩整楲杮?偓?猠獹整?慣?扯慴湩挠浯汰瑥汥?敲潣扭湩摥丠??洠条敮?楷桴朠潯?湡獩瑯潲祰愠摮洠条敮楴?牰灯牥楴獥?桔?慭楸畭?慭湧瑥捩瀠潲数瑲敩??????汣獡?愢瀭畬?汰獵?慭?猯'T?????鮪徬鞪??极脿???醰鑛??鴿鎘銳????�

简介：采用座滴法研究反应烧结（Reactionbonded）SiC/Co-Si体系在真空中的润湿性及界面反应,并研究Si含量和实验温度对润湿角的影响。结果表明,元素Si对反应烧结（RB）SiC/Co-Si体系的润湿性有显著影响,当Co-Si钎料粉体中Si含量（质量分数）为6.7%和60%时,体系的最终润湿角都低于SiC/纯Co体系。SiC/Co-Si体系的润湿过程属于反应性润湿,随着温度升高,润湿角明显减小。微观结构研究和XRD相分析表明,对于SiC/Co-3Si体系（Co-3Si钎料中Si的质量分数为3%）,界面区域发生了化学反应,反应产物为CoSi和碳,同时发生元素的互扩散,形成反应中间层;对于SiC/Co-60Si体系,界面反应产物只有CoSi2,界面区域没有存留碳。界面反应改变体系的界面结构,从而改善体系的润湿性。

简介：ThemechanicalpropertiesofpressurelesssinteringFe-Si3N4bondedSiCandSi3N4bondedSiCwithsamemanufactureprocesshavebeencomparedinthispaper.TheoxidizingmechanismofFe-Si3N4bondedSiCceramicmatrixcompositehasbeeninvestigatedespeciallythroughTG-DSC(thermogravimetricanalysis-differentialscanningcalorimeter)experiment.DuringoxidationprocedurethemainreactionistheoxidationofSiCandSi3N4,SiO2whichformprotectingfilmtopreventfurtheroxidizing.AndresidualironinthesamplesbecomeFe2O3andFe3O4,theoxidationkineticsat1100～1300℃ofre-Si3N4bondedSiChasbeenstudiedespecially.Theweightgainperunitareaatinitialstagechangesaccordingtobeelinerule,inthemiddleaccordingtoconic,andinthelastoxidationperiodfollowsparabolarule.

简介：

简介：根据极紫外成像器观测地球周围等离子层的要求，设计了极紫外Mg／SiC双功能多层膜反射镜，并分析了粗糙度、膜厚精度和光学常数变化对反射率的影响。结果表明：5°入射的双功能多层膜反射镜在30．4nm和58．4nm处的反射率分别大于41％、小于0．209／6。

简介：N7610／6670手机界面故障率较高，约占整个维修量的80％，如不识卡、无显示、不能拍照等。为了快速排除这些界面故障，笔者对日常的维修记录做了整理，供大家参考。

简介：研究了FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜，利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征，得到结果如下：插入Bi之前，在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在，插入Bi之后，FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且，在FeMn/Co界面处Fe，Mn，和Co的元素分布不相同。

简介：以TC4钛合金为研究对象,采用扩散钎焊方法制备钛合金多层板,对多层板的界面组织、连接强度及失效断口形貌等进行测试分析,以供钛合金薄板的连接提供技术参考。研究证明：扩散钎焊界面为针状魏氏体组织,界面无化合物形成;室温下界面强度达到母材强度的94%,350℃下界面平均强度为690MPa,延伸率在11%以上;界面魏氏体组织成为裂纹扩展速率增大和界面失效的主要因素。

简介：一种新型环保无毒钙锌复合稳定剂，最近在河北衡水精倍化工集团研发成功并投放市场。

简介：用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

简介：

简介：对于任何电器产品（包括电脑、手机、视频游戏机等）或电脑软件来说，拥有一个优秀的用户界面（UserInterface）既能让消费者轻松自如地操作并享用产品的各项功能，又可以不必浪费时间和精力去“学习”甚至记忆那些无聊透顶的印刷品——“产品使用手册”。但是遗憾的是，这种“优秀的界面”在生活中并不多见，越来越多的电器和软件的设计趋于复杂化，

简介：量监禁效果在nanoelectronics和光电子应用是重要的；然而，在量监禁的理论之间有差异，它显示拓宽的乐队差距仅仅在在大直径的nanowires(NW)拓宽的乐队差距的小尺寸，和试验性的观察发生。这份报纸在紫外可见的吸收系列报导吸收边的明显的蓝移动原文如此有50-300nm的直径的NW。根据量监禁，理论和高分辨率的传播电子显微镜学想象原文如此NW，拓宽在的乐队差距原文如此，有多达几百纳米的直径的NW充分被解释；结果能帮助解释与大直径在另外的NW拓宽的类似的乐队差距。

简介：微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

简介：

简介：SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。

简介：N炒N和N夹N有所不同,其差异在于＂受事＂的数量以及槽孔填充元素间的关系;肉炒肉的生成机制为N炒N构式的类推,其生成理据为说话人为了吸引食客,便有意突显了＂肉量多＂这一特征;N炒N和N夹N各成员为非典型的动宾结构。