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Influence of CH3SiCl3 Consistency on Growth Process of SiC Film by Kinetic Monte Carlo Method

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摘要 CH3SiCl3(山)-H2-Ar系统被使用了原文如此与化学蒸汽免职(CVD)准备电影在这份报纸的方法。为三个方面原文如此拍摄，对生长率，表面粗糙，厚度和相对密度的一些重要影响由山一致性带了主要与运动始於西班牙的纸牌赌博carlo(KMC)被讨论了方法。模拟结果证明与不同免职温度为到山(H2/MTS)的H2的摩尔比率有某个规模。当山一致性增加时，生长率和三个方面的表面粗糙都增加关系，它表明近似线性。当增加三方面厚度的趋势显然是不同的时，三个方面的厚度也增加。尽管三个方面的相对密度都增加，增加的趋势与山一致性增加显示出小差别。

DOI kd21y28ej6/1212714

作者 LIU Cuixia;YANG Yanqing;LUO Xian

机构地区不详

出处《武汉理工大学学报：材料科学英文版》 2012年5期

关键词蒙特卡罗方法碳化硅薄膜一致性动力学生长过程表面粗糙度

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2012年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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