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美首次研制出稳定的单原子层锗
美首次研制出稳定的单原子层锗
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摘要
美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗(germanane),其电子迁移率是硅的10倍,因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。
DOI
54yvqrg940/1234252
作者
机构地区
不详
出处
《纳米科技》
2013年2期
关键词
原子层
锗
稳定
美国科学家
电子迁移率
美国化学会
分类
[一般工业技术][材料科学与工程]
出版日期
2013年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
纳米科技
2013年2期
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