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微波半导体器件及电路的应用概况（续二）

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摘要 4.4宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最

DOI rdxxkwpkdl/1289373

作者莫火石;盛柏桢

机构地区不详

出处《电子元器件应用》 2000年12期

关键词微波器件半导体器件半导体电路

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2000年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子元器件应用

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