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GaN／Al2O3（0001）的匹配机制及氮化的作用

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摘要在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。

DOI 5jo69l2kjv/1407212

作者徐科;郑文莉;等

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 1998年1期

关键词匹配机制氮化 GAN MOCVD 晶格匹配氧化铝衬底

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 1998年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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