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侧壁粗糙度与几何结构对SOI脊形波导损耗的影响

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摘要基于条形波导传统数学模型和等效折射率方法,建立了SOI（silicon-on-insulator）脊形波导散射损耗的数学模型,重点讨论了侧壁粗糙度与几何结构对波导散射损耗系数的影响。研究表明：侧壁粗糙度是引起散射损耗的主要因素;波导几何结构对散射损耗的影响主要由波导宽度决定;对于给定刻蚀深度,损耗随波导宽度增大而减小;对于给定波导宽度,损耗随刻蚀深度增大而增大。

DOI 54y9x731d0/1500976

作者刘军;刘金良;陈亮;张忠兵;刘林月

机构地区不详

出处《现代应用物理》 2015年1期

关键词集成光学脊形波导散射损耗粗糙度

分类 [理学][物理]

出版日期 2015年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

现代应用物理

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