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2010年1期
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业界GaN功率器件开发动向
业界GaN功率器件开发动向
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摘要
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DOI
pj09oxkvjy/1563975
作者
孙再吉
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2010年1期
关键词
GAN
外延片
富士电机
宽禁带
中央研究所
开发公司
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2010年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
2010年1期
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