沟槽栅低压功率MOSFET的发展（下）——减小优值FoM-中国期刊网

摘要近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

1吴晓鹏;张娜;亢宝位. 沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）——减小漏源通态电阻R DS（on）.电路与系统,2004-04.
2游雪兰（译）;吴郁（译）;张彦飞（译）. 用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片.电路与系统,2007-06.
3邓志杰（摘译）. IBM缩短Ⅲ—Ⅴ族MOSFET栅长.材料科学与工程,2009-11.
4冯幼明;王传敏（译）. 提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET.电路与系统,2010-05.
5龙乐. 汽车用功率MOSFET及其封装.物理电子学,2006-02.
6倪海东;蒋玉萍. 线性功率MOSFET分析及应用.电力电子与电力传动,2005-06.
7Donald He Jason Zhang Ritu Sodhi Dan Kinzer Stuart Edawrds Paul Harvey. 集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势.电路与系统,2005-06.
8. 基于STripFET技术的低压MOSFET.电路与系统,2004-11.
9. 东芝功率MOSFET导通阻抗降低60%.电路与系统,2005-02.
10邹勉. Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET.物理电子学,2010-04.

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