摘要
摘要：静态 PN结是集成电路的基础。在本文中，我们通过将 N型半导体机械地移动到 P型半导体（称为动态 PN结）来开创高电流密度的先驱。耗尽层的建立和破坏会通过内置场引起扩散载流子的重新分布和反弹，类似于移动过程中 PN结电容的电容性充电 /放电过程。通过在动态 PN结的界面处插入介电层，可以根据半导体的价带与介电层的导带之间的能级差来提高输出电压并进行数值设计。特别是动态 MoS2/ AlN / Si发电机，具有 5.1 V的开路电压， 112.0 A / m2的短路电流密度， 130.0 W / m2的功率密度和 32.5％的功率转换效率，可以发光及时直接地接通发光二极管。该发生器可以连续工作 1小时，表明其巨大的潜在应用。
出版日期
2020年04月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
