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高压工艺N阱电阻SPICE模型研究

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摘要文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

DOI 0dpo2rexj2/559293

作者李月影;李冰;何小东

机构地区不详

出处《电子与封装》 2007年11期

关键词高压N阱电阻 SPICE模型结型栅场效应管JFET

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2007年11月21日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子与封装

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