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定向碳纳米管阵列的制备与场发射性能研究
定向碳纳米管阵列的制备与场发射性能研究
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摘要
摘要:在大电流密度真空微纳电子器件的制备中,对于碳纳米管发射阴极阵列的分布均匀性和取向性要求较高。目前,多采用气相化学沉积法(CVD)制备定向碳纳米管阵列来满足此需求。本文利用热CVD法以及电子束光刻技术制备定向碳纳米管阵列,在此基础上设计出了一种具有良好取向的网格状定向碳纳米管阵列结构,同时改进了碳纳米管阵列的场发射特性。
DOI
g4qrmoxzj8/5612600
作者
丁沭沂
陈亮
李橙
周瑜龙
沈吉梅
机构地区
南师大泰州学院信息工程学院,江苏泰州225300
出处
《科学与技术》
2021年17期
关键词
分类
[建筑科学][建筑技术科学]
出版日期
2021年11月03日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
科学与技术
2021年17期
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