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中科大成功研制国内首个256位分子存储器电路

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摘要中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺，近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。

DOI lj1e9m37dv/607992

作者

机构地区不详

出处《纳米科技》 2008年3期

关键词分子存储器国家同步辐射实验室电路国内中国科学院光刻工艺

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2008年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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