摘要
O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭(甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州(730000))//半导体光电.—1994,15(4).—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀
出版日期
1995年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)