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齐聚[3，2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用

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摘要通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

DOI rdxgo06k4l/763125

作者杨宝麟;田洪坤;宋德;闫东航;耿延候;王佛松

机构地区不详

出处《分子科学学报：中英文版》 2009年3期

关键词并二噻吩有机半导体有机薄膜晶体管

分类 [理学][化学]

出版日期 2009年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

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