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低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展

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摘要低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能，近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展，并对已经报道的制备方法进行了分类和总结，展望了低维元素半导体的研究前景。

DOI rj8yqoy740/817410

作者吴海平;张国庆;王辉;夏燕萍;陶宇;陶国良

机构地区不详

出处《材料导报：纳米与新材料专辑》 2009年2期

关键词纳米材料半导体硅锗

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2009年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

材料导报：纳米与新材料专辑

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