首页 > 《电力电子》 > 2010年4期 > 通富微电拟与富士通半导体合作设立研发中心

通富微电拟与富士通半导体合作设立研发中心

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要通富微电日前发布公告，公司拟与富士通半导体建立合作研发平台，8月30日双方已签署《合作设立研发中心意向书》。

DOI ldek2q05d3/915665

作者

机构地区不详

出处《电力电子》 2010年4期

关键词研发中心半导体富士通合作研发平台

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2010年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1江兴. 富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件.物理电子学,2012-06.
2. 富士通半导体助力高校物联网专业学科建设.电路与系统,2011-02.
3. 南通富士通正式成为国际半导体设备材料产业协会（SEMI）会员.物理电子学,2012-02.
4. 富士通半导体将携全新产品亮相IIC—China2011春季展.电力电子与电力传动,2011-03.
5. 音质出众富士通Cinema.计算机科学与技术,2009-09.
6. F505i（富士通）.计算机应用技术,2003-08.
7徐文. 小天鹅联手富士通打造节能微特电机基地.电器,2005-02.
8. 富士通赞助上海世博会日本馆.检测技术与自动化装置,2010-05.
9. 富士通与NTrDoCoMo合力演示FOMA.物理电子学,2004-11.
10黄小梅. 南京富士通农税项目应用案例.世界经济,2003-12.

来源期刊

电力电子

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

研发中心半导体富士通合作研发平台

返回顶部