简介：日本产业技术综合研究所(产综研)电力能源研究部门开发成功晶状金属氧化物纳米多孔材料。这是在使用模板的传统合成方法中加入微量的玻璃相前驱体，通过高温烧结，控制金属氧化物的晶化而制成的。该材料有望用于触媒支撑、吸附剂、光触媒、色素增感型太阳电池、传感器、能量存储器件等广泛领域。
简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。
简介：
简介：日本轻金属公司正全力销售高耐热3000系列铝板材“F3S”。组分为A1—2%-3％Mn的“F3S”是用将熔融铝急冷的连续铸造技术生产的，具有高耐热性、高强度、高导电性。
简介：日本产业技术综合研究所开发出了高效、低成本合成纯度比用以前方法高2000倍以上的单层碳纳米管(SWNT)的技术。用该技术可在10min内制成比目前产品长500倍(2．5mm)的SWNT。据说可将SWNT的价格降低到原来的(10万日元/g)数百分之一以下。
晶状金属氧化物纳米多孔材料
实验证明MoS2是优异的低耗电器件用半导体材料
开发高纯度铝基超硬质氧化铝膜电极
日本轻金属公司销售高耐热3000系列铝板F3S
日本开发高效、低成本合成高纯单层碳纳米管技术
