简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿
简介：在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无线移动通信发展打开新局面。AXT一直是世界上服务无线器件制造商领先的生产砷化镓衬底的供应商,十年前,移动通信产品的发展和LED产业的异军突起使其砷化镓衬底的销售业绩惊人,而近年来晶体生长市场快速的发展促使公司做出新的转变。
在高压碳化硅材料中实现载流子寿命增长
磷化铟材料:前程可期
