简介：采用Al-5Ti-B变质剂对过共晶Al-18Si合金进行反向变质处理,用光学显微镜观察合金的组织与形貌,研究变质剂加入量、变质温度和冷却速度对初晶硅的尺寸、形态和面积分数以及共晶组织的影响。研究表明：当Al-5Ti-B加入量（质量分数）为0.3%时,变质处理后Al-18Si合金中的初晶硅和共晶硅尺寸明显减小,初晶硅的面积分数减小;与其相比,变质剂加入量增加到0.6%时,初晶硅尺寸变化不明显,但共晶硅进一步细化;随冷却速率降低,变质处理后Al-18Si合金中初晶硅相的数量减少,但Si颗粒尺寸明显增大,并且共晶硅细化;与Al-18Si合金在720℃变质相比,该合金在780℃变质处理时,初晶硅的尺寸增大,但初晶硅的面积分数显著减小;合金在850℃变质处理后初晶硅的尺寸、面积分数都比720℃变质处理后明显减小;随变质温度升高,Al-Si合金中的共晶硅明显细化。

简介：采用超高重力场燃烧合成工艺,并从500g到2500g每间隔500g依次增大超重力场加速度,制备系列TiC-TiB2凝固陶瓷。经XRD、FESEM和EDS分析,发现陶瓷显微组织均由片晶的TiB2基体相、不规则的TiC第二相及少量的Al2O3夹杂与Cr基金属相组成。增大超重力场加速度,反应熔体内部各组份之间的对流（Stokes）加强,可加快Al2O3液滴的上浮与分离,促进TiC-TiB2-Me液相成分均匀化,使陶瓷显微组织得以细化,且当超重力场加速度超过2000g时,出现TiB2片晶厚度小于1μm的超细晶组织,同时随陶瓷基体上Al2O3夹杂量降低、TiB2片晶异常长大弱化,陶瓷组织均匀性提高。经FESEM断口形貌与裂纹扩展观察,发现TiB2基体相的裂纹桥接与拔出,并耦合晶间Cr基延性相增韧构成陶瓷的复合增韧机制,且随超重力场加速度增大,陶瓷的致密性与组织均质性得以提升,不仅促进TiB2基体相裂纹桥接与拔出,而且可增大Cr基延性对陶瓷增韧的贡献,使得陶瓷弯曲强度与断裂韧性分别同时达到最大值（975±16）MPa和（16.8±1.2）MPa·m^1/2。

简介：对退火态AHPT15M粉末高速钢进行盐浴淬火处理，然后对退火态样品与淬火态样品进行深冷处理、回火处理和同步热磁分析，研究深冷处理对AHPT15M粉末高速钢回火转变的影响。结果表明，退火态粉末高速钢中的铁素体含量（体积分数）约为71．5％；淬火态钢中的马氏体含量（体积分数，下同）约为45．2％，在经过1、2、3次823K／1h连续回火处理后，马氏体含量分别约为68．5％、71．0％和71．3％；回火前增加143K深冷处理工序，在深冷后和l、2、3次回火后，钢中马氏体含量分别约为59．8％、69．9％、70．9％和71．3％。深冷处理可提前残留奥氏体向马氏体的转变进程、抑制残留奥氏体中的碳化物析出，并促进马氏体中更大量（约2．3％）的微细碳化物析出，使钢的硬度提高52HV0.1。

简介：利用分离式Hopkinson压杆（splithopkinsonpressurebar，简称SHPB）技术对T6时效态2195铝锂合金帽型试样进行动态加载获得绝热剪切带（adiabaticshearband，ASB），利用透射电镜（TEM）和光学显微镜（OM）观察动态加载前后剪切带的微观结构特征，利用电子背散射衍射（EBSD）分析合金在100~400℃温度下退火后绝热剪切带微观结构的变化，研究剪切带内纳米结构的热稳定性。结果表明：在动态加载过程中，帽型试样的剪切区域形成绝热剪切带，剪切带内的晶粒为50~100nm左右的纳米等轴晶，在绝热剪切形变过程中析出相已完全溶解于基体中，纳米晶内部和晶界不存在析出相。在不同温度下退火时，剪切带内的晶粒随温度升高而长大，100~200℃温度下退火后晶粒未发生显著长大，在300℃退火后晶粒急剧长大到0.22μm，400℃退火后晶粒尺寸为1.77μm；在300℃左右温度下剪切带的硬度显著下降，此温度正是剪切带内纳米晶粒急剧长大的临界温度。

简介：采用氧化锆做绝缘阴模材料，设计研制能对压制中的粉末施加冲击电流的模具。研究电容组在不同的充电电压下，对处于不同压制压力下的汽车带轮用粉末瞬时放电，当电能以冲击电流的形式通过后，可引起压坯密度的变化。实验结果表明，施加冲击电流后，压坯密度增加，充电电压越高或粉末压坯初始密度越低，冲击电流对压坯密度增长的贡献越大。冲击电流作用后压坯温度升高，直径发牛收缩，说明压坯密度增加是冲击电流的热效应与电磁效应共同作用的结果。

简介：采用化学镀法对TiH2粉末表面镀Ni,制备Ni/TiH2复合粉末。通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）及差热分析（DSC/TG）对Ni/TiH2复合粉末进行表征,探索Ni镀层的生长及作用机理,建立镀层在粉末表面的生长模型。结果表明：施镀温度为85℃时Ni/TiH2复合粉末表面Ni层包覆完整,镀层均匀致密,Ni层厚度约为1.0~2.0μm;施镀温度低于65℃时施镀几乎无法进行,而施镀温度高于95℃时,镀层很不均匀,且容易脱落;镀层的生长机制遵循奥斯特瓦尔德（Ostwaldripening）机制;与包覆前TiH2粉末相比,Ni/TiH2复合粉末的释氢反应开始温度由450℃上升至540℃。包覆层可降低TiH2粉末和熔融铝的温度梯度,从而推迟开始释氢的时间。