简介：以AgNO3为原料，抗坏血酸为还原剂，采用快速加料的方式制备高分散性超细银粉，用扫描电镜、ζ电位分析仪、紫外-可见光谱分析仪等对银粉进行表征，研究硝酸银溶液性质如硝酸银溶液浓度c（AgNO3）、初始pH值，以及表面活性剂的加入对超细银粉形貌与粒径的影响。结果表明，当c（AgNO3）＞0.30mol/L时，银粉表面粗糙、形貌变得不规则且分散性变差。银粉粒度随硝酸银溶液pH值增大而减小，但pH增大到7.0时银粉团聚现象较严重。抗坏血酸分子在还原过程中具有自分散作用，在c（AgNO3）为0.2mol/L、初始pH=5.0的条件下，不添加任何表面活性剂即可获得分散性好、表面光滑、形貌规则的球形银粉。在AgNO3溶液中加入分散剂PVP可适当减小银粉粒径，而加入丁二酸、吐温80、PEG、PAA和明胶等分散剂对银粉形貌的改善不大。

简介：以锆、锰、铁的硝酸盐和甘氨酸为原料,采用溶液燃烧法制得超细金属氧化物前驱体,再将前驱体分别在750、850和950℃由氢化钙还原得到锆锰铁三元合金微粉。用热重/差热分析法（TG/DTA）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等对溶液燃烧和钙还原2个阶段的产物进行分析与表征。结果表明：采用溶液燃烧法合成的金属氧化物前驱体颗粒分布均匀,粒度为数百纳米;采用氢化钙还原氧化物前驱体,在温度≥850℃,Ar气氛下反应1h可制得ZrMnFe三元单相合金微粉,粒度为亚微米或微米级。

简介：以硝酸银为原料，用N，N-二甲基甲酰胺溶剂作还原剂，聚酰胺酸（polyamicacid，Phi）为稳定剂，制备金属银纳米粒子。利用红外光谱分析银纳米粒子的形成对PAA结构的影响；用X射线衍射确定银／PAA复合粉末中银粒子的结晶状态；用紫外一可见吸收光谱实时检测不同PAA质量浓度的溶液中纳米粒子的等离子体共振吸收情况；用透射电镜观察银纳米粒子的形状和大小。结果表明：银纳米粒子的生成对PAA的分子结构几乎没有影响；银纳米粒子具有很好的结晶度；紫外一可见吸收光谱出现明显的不对称双峰；银纳米粒子长大是奥斯特瓦尔成熟过程，制备的银纳米粒子具有较好的形貌，呈软团聚多晶态。

简介：硝酸银溶液中加入浓氨水配制成一定pH的银氨溶液,加入双氧水作还原剂制备超细银粉,对加料方式、银氨溶液pH值、AgNO3溶液浓度、双氧水浓度等参数以及分散剂对银粉的影响进行研究。结果表明,采用正向快速加料法可制备出分散性好的银粉;调节银氨溶液pH值可改变银颗粒的Zeta电位,进而改变银粉的分散性;银粉粒径随双氧水浓度提高先增大后减小,随AgNO3溶液浓度提高而增大;分散剂对银粉形貌有较大影响。在硝酸银溶液浓度为0.1~0.3mol/L,银氨溶液pH值为10.0~11.0,双氧水浓度（质量分数）为3%的条件下,不使用任何分散剂可制备出分散性较好、平均粒径1.9~2.3μm的类球形银粉。

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：通过电化学分析与测试，研究B4C体积分数分别为20%、30%、40%的B4C/Al基复合材料及其基体合金（6061铝合金）在不同浓度及不同温度的硫酸溶液中的腐蚀行为。由动态极化曲线和阻抗谱得到相应的电化学参数，并利用阻抗分析软件对该复合材料和基体合金腐蚀过程的等效电路进行模拟，分析腐蚀机理，通过Arrhenius方程计算腐蚀过程中B4C/Al基复合材料与6061铝合金的反应活化能，并分析两者的焓变与熵变，对腐蚀前后2种材料界面的微观结构进行观察。结果表明：B4C/Al基复合材料在硫酸溶液中的腐蚀速率随B4C颗粒含量增加而增大，基体铝合金在硫酸中的耐腐蚀性能高于B4C/Al基复合材料。B4C/Al基复合材料和基体铝合金在硫酸中的腐蚀速率都随硫酸溶液浓度增加而增大；当溶液温度升高时，二者的腐蚀速率都快速增加。B4C/Al基复合材料和Al基体合金在硫酸溶液中的腐蚀都表现为明显的点蚀。铝基体材料在硫酸溶液中的反应活化能大于B4C/Al基复合材料，计算所得活化焓与活化熵的值均表明复合材料的腐蚀反应比基体合金更容易进行，因而遭受腐蚀更严重。