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  • 简介:新加坡金管局11月20日宣布SGQR码的技术标准已经获得付款理事会批准.SGQR码由新加坡金管局和资讯通信媒体发展局共同领导的行业行动小组制定.小组成员包括三家本地银行、万事达卡和威士卡等付款机构,支付宝和微信支付等QR码付款服务供应商,这些机构今后能以SGQR码取代各自的QR码.

  • 标签: 技术标准 新加坡 二维码 整合 QR码 服务供应商
  • 简介:自对准双重图型(SADP)技术广泛应用于28nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术(LELE,LPLE)相比,在处理维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。

  • 标签: 自对准双重图形 二维图形 图形分解 工艺窗口
  • 简介:首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

  • 标签: Ni(W)Si 热稳定性 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 卢瑟福背散射
  • 简介:意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。

  • 标签: MOSFET管 功率密度 快速恢复 转换器 二极管 能效