简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。

简介：采用锁定于Cs原子D1线Fg=4→Fe=3跃迁能级的894nm激光极化了填充有Cs原子和4He原子混合原子吸收室中的Cs原子,然后通过Cs原子和4He原子的自旋交换作用使得亚稳态4He原子产生极化。这种采用间接方式实现4He原子极化的方法,可以避免4He原子与光源直接作用产生的光频移,能够非常有效地减小共振线宽和实现高准确度磁场测量。设计了自旋极化的亚稳态4He原子在磁场中的拉莫尔频率检测电路以实现磁场测量。