简介：东亚不仅必须打破旧的国际信息产业格局，而且有能力建设一个互助的信息社会。

简介：

简介：随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用，国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要，文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响，比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣，得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制，抗辐射性能不如SON0s单元。同时在做抗辐射加固设计时，FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题，且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要，还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。

简介：一个安全、合作和繁荣的东亚，对谋求和平崛起的中国来说至关重要。

简介：2月6日，戴尔宣布从本月起在部分高端台式机产品上将不再配备软驱，并将逐渐推广到所有台式机产品系列。尽管它不是全球第一家从PC上取消软驱的生产商，但以其在全球PC界龙头老大的地位来看，戴尔的此举可谓是影响深远。

简介：PHOTOSHOP巡展已经成功地吸引了设计界的注意．那么，来参加巡展的人对这次巡展有什么期待，看了巡展之后又有什么感觉呢？为了听到参加会展的听众的真实声音，本刊记者分别在这次大会的会前、会中和会后对与会者进行了现场采访。

简介：文章对版图优化方法进行了研究，给出了几种版图优化的方法。通过研究发现，对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现；而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元的源漏周长来实现。通过仿真对比普通结构栅、叉指结构栅和环形结构栅的组成的反向器环振周期，可以发现采用叉指结构和环形栅结构不仅能有效减小单元面积，并且能通过减小源漏周长提高单元速度。

简介：我们不仅需要在战略上重视合作机会，努力创造“天时、地利、人和”而且需要从战术上重视合作，抓住的发展环境。

简介：高科技公司正在向美联邦通信委员会施加压力，要求开放在电视频道之间未被使用的无线信道用于未经授权的设备，然而，据电视广播公司表示，那将会存在太多的干扰问题。

简介：

简介：一个互信、自信、开放的东亚信息产业有能力成为世界未来经济增长的“第三极”。

简介：JUnit是一个简单的编写可重复的测试框架。在单元测试框架中,它是xUnit架构的一个实例。JUnit框架已集成在Myeclipse环境中,只需进行简单的操作即可生成测试代码;同时,Myeclipse也集成了Ant编译工具,可生成测试报告。这种测试环境不但具有简化的测试过程,而且具有完善的测试结果,同时具有跨平台性。

简介：摘要微课（Microlecture），是指运用信息技术按照认知规律，呈现碎片化学习内容、过程及扩展素材的结构化数字资源。用微课堂带动学生的学习积极性，适当的让学生动手做。“微课”既有别于传统单一资源类型的教学课例、教学课件、教学设计、教学反思等教学资源，又是在其基础上继承和发展起来的一种新型教学资源。

简介：摘要为了摆脱传统应试教育的桎梏，许多老师严格按照素质教育的实施要求，积极的优化目前的教学内容和教学形式，围绕学生落实教学实践环节，鼓励学生在这种参与和实践的过程中实现个人的良性成长和发展。长期的应试教育导致许多老师只关注简单理论知识的传授，忽略了学生自主能动性的提升和调动，学生对老师的依赖性比较大，个人的主观能动性不足，课堂教学效率呈现不断下降的趋势，这一点严重束缚了学生的个性化发展，对此，课堂教学的优化和升级尤为关键，本文以高中英语说写教学为分析对象，了解优化课堂效果的相关策略。

简介：想不想在自己桌子上养一只小宠物啊？elecom公司可以帮您达成这个梦想喔～

简介：静态存储器（SRAM）功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,并且大规模SRAM的仿真在芯片设计中也相当费时。提出了一种基于40nmCMOS工艺、适用于FPGA芯片的SRAM单元结构,并为该结构设计了外围读写控制电路。仿真结果表明,该结构的SRAM单元在保证正确的读写操作下,静态漏电电流远远小于同工艺下普通阈值CMOS管构造的SRAM单元。同时,为了FPGA芯片设计时大规模SRAM功能仿真的需要,为SRAM单元等编写了verilog语言描述的行为级模型,完成了整个设计的功能验证。

简介：通过电抗加载来控制方向图主瓣指向的天线称为电控无源阵列天线，简称ESPAR天线。提出了一种三单元H形缝隙耦合馈电贴片ESPAR相控阵天线，该天线通过分别改变加在两侧寄生辐射贴片馈电端的直流控制电压来改变相应的电抗加载值，从而使其实现宽波束扫描。给出了该天线的详细分析，以及电磁仿真结果，结果表明，该天线在H面上能实现-30°～30°的宽波束扫描。

简介：大国和平崛起，一夜间成为朝野关注的焦点话题。本期第一专题“东亚可以说‘行’”。从第一生产力背景入手。解析大国方略。注意力聚焦于众多“大国崛起”论“遗忘”的一个关键：第一生产力的制高点。才是大国崛起的实力要枢。《东亚可以说“行”》与“中国可以说‘不’”相反，第一次表现出以实力为背景的自信。认为，一个宏大的、自主的和互助的战略理想得以启动，意味着一个互助合作的东亚IT将迅速崛起，成为世界真正的第三极。科技“长缨在手”，东亚可以说“行”。专题摘要披露了1995年秘密发自美国费城的第一份科技万言书《关于中国计算机产业国家政策的建议》、1999年有关人士上书的第二份科技万言书《中国衰落的危险与新的战略选择——建立在美国核心信息技术上的中国图景》，并首次发表了第三份科技万言书《东亚可以说“行”》。反映了生产力前沿人士在大国不同发展阶段的所忧所思。自信的东亚不再说“不”，而说“行”，反而触痛了昔日霸主，诅咒“亚洲国家的这种努力将会以失败告终”。为什么？掩卷之后，值得深思。

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

简介：文章首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理，总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限（SNM）。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法，该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制，然后将多个限制因素综合在一起考虑，并通过三维曲线图形为仿真提供指导，以提高设计效率，缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证，仿真结果表明，采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。