简介：<正>美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司在开发SiC功率电子新产品方面迈出了一大步,实验演示了一种1cm~2SiC二极管芯片。他们所制作的这种4H—SiC肖特基二极管的阻塞电压为300V,正向电流高至300A。该二极管芯片是用4H—SiC制
简介：通过分析象光斑与四象限探测器象限面积大小关系的分析,发现在四象限探测器象限面积确定的情况下,象光斑的大小对有效可测范围有很大的影响,合理选择象斑大小十分重要.根据四象限探测器光电二极管面积选择了象光斑面积之后,根据设计的物距就可以确定出合理的接收透镜直径和焦距.
TDI公司演示大面积SiC二极管芯片
象光斑和四象限探测器象限面积大小关系的理论研究
