简介:Thisletterintroducesthedesignideas,simulationandtestresultsofanS-bandklystronwithbandwidthof11%,whichwasdevelopedbytheInstituteofElectronics,ChineseAcademyofSciences(IECAS).Onthepeakpowerlevelof800kW,theefficiencyofklystronismorethan30%;thegainismorethan41dB;theequal-drivingrelativeinstantaneousbandwidthisover11%;theaveragepowerislargerthan8kW,andthepowerfluctuationwithinbandwidthislessthan1.5dB.
简介:AnewFFTalgorithmhasbeendeduced,whichiscalledthebase-6FFTalgorithm.TheamountforcalculatingtheDFTofcomplexsequenceofN=2rbythebase-6FFTalgorithmisMr(N)=14/3*Nlog6N-4N+4formultiplicationoperationofrealnumberandAr(N)=23/3*Nlog6N-2N+2foradditionoperationofrealnumber.TheamountforcalculatingtheDFTofrealsequenceisahalfofitwiththecomplexsequence.
简介:Aneworganicsemiconductortartaricaciddopedsaltofemeraldinepolyaniline(PANI-C4H6O6)hasbeenobtainedbythemethodofoxidativepolymerizationofmonomericanilinewithammoniumpersulfateinacidicsolution.ThestructurewascharacterizedbyFourierTransformInfraredtechnique(FTIR)andX-raydiffraction(XRD).Thetemperaturedependencedcconductivityδdc(T)showsasemiconductorbehaviorandfollowsthequasionedimensionalvariablerangehopping(Q1D-VRH)model.Dataonδdc(T)arealsodiscussed.
简介:<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容(Eoss)的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编
简介:台湾积体电路制造股份有限公司于12月10日公布2008年11月营收报告,就非合并财务报表方面,营收约为新台币192亿9500万元,较2008年10月份减少了32.0%,较去年同期减少了36.0%;累计今年一至十一月的营收约为新台币3086亿600万元,较去年同期增加了8.5%。
简介:Photoluminescenceevaluationofpandntype6H-SiCsampleshasbeendone.Resultsshowthatatlowtemperaturethephotoluminescenceof6H-SiCisclearlydominatedbydonor-acceptorpairtransitions,insomecase,free-to-donortransitioncouldbeobservedathighertemperature.Thethermalquenchingprocessesofthephotoluminescencehavebeeninvestigatedtodeterminethepossibleionizationnenergiesoftheimpurities.