简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。
简介：中国电子科技集团公司第二十八研究所，简称二十八所，又称为南京电子工程研究所，位于江苏省南京市城东紫金山麓。二十八所始建于1964年，是从事军、民用电子信息系统工程的总体设计、研制开发、系统集成以及系统配套设备研制、生产的研究所。
罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象
中国电子科技集团公司第二十八研究所简介
