简介：<正>2013年6月20日,中国银行间市场发生了一次里氏九级的强烈地震,资金价格水平飙升,债券大跌。目前来看,地震的主震应该已经过去,但是在未来几个月会有一些余震,部分余震的震级也许会比较高。现在大家对于资金紧张的原因认识是趋同的,但是市场的讨论还没有转移到银行间地震所引起的海啸,以及海啸对于中国的金融市场和实体经济的影响。我们认为近期银行间市场短期利率大幅度飙升的影响可以概括为三波冲击。第一波冲击是银行间资金的极度紧张,这在过去一周已经发生,未来还会

简介：<正>受到需求增温与德国市场调降补助幅度的影响,目前各硅晶圆厂的产能都已满载,展望未来,研究机构EnergyTrend表示,由于硅晶圆短缺的情况仍然持续,加上德国倾向于第三季初调降补助金额,第二季硅晶圆报价将持续上涨,估

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简介：RC821型双台车电阻炉尽管生产效率较高,然而热能未充分利用。本文介绍了对其附件的改造及利用,提高了装炉量,降低单耗,方法简单易行,效果非常显著。

简介：摘要小学阶段语文的学习主要分为阅读和写作，随着新课程标准的实施，小学语文课本的阅读量逐渐被提上议程。要提高学生的语文能力，阅读是必不可少的，针对当前小学阶段语文教学中阅读存在的问题，本文展开相关探讨，旨在找出提升小学生阅读量进而提高学生语文素质的方法。

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简介：<正>国际半导体设备暨材料协会(SEMI)释出电子业淡季讯息,近日公布8月北美半导体设备订单出货比(Book-to-BillRatio,B/B值)终止连7个月逾1的走势,滑落至O.98,为今年来首度跌破1,宣告半导体产业即将走人年底淡季。分析师指出,SEMI的B/B值是针对设备厂商的统计,通常反映台积电、日月光等制造厂商未来三到六个月的产能计划,也反映了未来三到六个月的景气。北美半导体B/B值是指半导体设备厂当月接到设备的订单,以及当月出货

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简介：超薄（或说零厚度）微带线是微波电路设计的重要组成部分。基于矩量法，推导了零厚度微带线电磁参量的公式，计算了微带线的特性阻抗和相应的等效介电常数，探讨了微带线的准静电边缘效应和两条微带线间的近端串扰问题。计算结果与已有结果相比较，一致性良好。

简介：<正>市场研究机构Gartner预估,2012年印度市场的半导体组件消耗量将会是全球成长最快的,金额达到92亿美元,较2011年成长20%。"印度半导体组件消耗量的成长动力,来自当地人口的增加、消费者所得提升、经济成长以及有利的官方政策;"Gartner研究总监

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

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简介：介绍化工设备在化学清洗后进行钝化处理的必要性以及相关的钝化处理技术的原理、钝化剂性能、处理工艺.并指出使用环保型的钝化剂是今后钝化工艺的发展方向

简介：<正>货币供应量,是现在许多经济媒体、专家甚至老百姓都关心和讨论的热门话题。大家关心货币供应量对中国经济的影响,讨论最多的是中国的货币供应量是不是太多了?经济学家和政府官员站出来列举各种数据,说现在中国的货币供应量已经超过103万亿人民币了,是我们当前GDP的两倍,已经超过美国的货币供应量10万亿美元。但由于货币供应量数据统计的局限性,且中国和美国M2的数据组成不完全相同,我们不能迷信货币供应量对货币政策的参考价值。

简介：5月23日,有日媒报道,日本政府将于2020年允许无人驾驶的乘用车在部分地区上路.自2017年起,在人口过疏地区和郊外的公路上启动行驶试验.到2020年东京奥运会和残奥会期间,在部分地区将允许民营企业提供无人出租车等服务.日本《道路交通法》和《道路运输车辆法》等法规也将进行修订.

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：摘要芯片是信息产业的基础，被誉为“工业粮食”，它的强弱是国家综合实力强大与否的重要标志。本文通过对比中国与其他国家地区芯片产业追赶中的异同，从提升芯片认知、制定切实可行的赶超策略方面提出了促进芯片产业追赶的政策。

简介：本文主要研究了polysiliconBufferedLocos(PBL)叠层腐蚀后PITING的问题.

简介：一种封闭式零件清洗后的干燥方法,以燃气为主要能源的旋转式干燥炉进行脱水干燥,对干燥炉的设计方案、机械结构和自动控制做了详尽的论述.

简介：ResearchandMarkets最新研究了未来移动通信的发展、以及驱动移动通信向后3G发展的因素。