简介：

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简介：Ahera公司日前推出业内密度最高、速度最快的现场可编程门阵列(FPGA)StratixⅡEP2S90器件。

简介：以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。

简介：提出了一种高速大容量数据采集系统的硬件实现方案。该方案选用高性能AD9430来实现数／模转换，并用大容量Raid阵列进行数据存储，同时采用新型串行PCIExpress总线作为数据传输接口．然后通过主机软件界面对采集卡的工作状态进行控制。经过调试，本系统运行稳定．可实现高速信号的采集和数据的实时存储。

简介：针对视频压缩系统中要求存储器容量大、可靠性高、使用环境苛刻等特点,给出了基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器的应用设计方法。该方法可以很好地满足工业控制或军事领域等恶劣环境下的使用要求。

简介：3．2．4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术，在电镀、喷漆的行业中，早已得到广泛的应用，它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去，并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度，从而有利于涂（镀）覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中，利用射流喷砂加工微孔技术，是近几年发展起来的新工艺。

简介：介绍TMS320VC5402DSP的直接存储器存取(DMA)的特点，给出一种适用的DMA结合多通道缓冲串行口McBSP组成的数据采集系统的设计方案，该设计具有设计灵活、硬件简单、CPU执行效率高的特点。

简介：本文主要对高密度、高多层埋盲孔的钻孔问题进行阐述，并主要针对高密度、高多层埋盲孔的钻孔定位方式及钻孔补偿方面进行分析，以便为高密度、高多层埋盲孔的钻孔提供参考。

简介：介绍兼备RAM和ROM特性的铁电存储器FM24C64，该器件具有极长的擦写寿命、快捷的写入速度和超低功耗等特点，是高可靠数据存储系统的理想器件。详细描述这种新型存储器的性能特点、工作原理、读写时序及操作特点，并给出在单片机数据存储系统中的应用方法。

简介：介绍了在NiosII的SOPC中将两种存储器型外设接入Avalon总线的实现方案，同时给出了构建基于NiosII嵌入式处理器SOPC系统实现方案，最后将SRAM、FIFO和紧耦合存储器中的数据通过Avalon总线在Altera公司CycloneEP1C12型FPGA器件上，对该实现方案进行了仿真验证。

简介：介绍一种新型FM18L08型铁电存储器，分析TMS320VC25402型数字信号处理器(DSP)的并行引导装载模式，给出一种基于铁电存储器的DSP脱机独立运行系统的设计方案，并将该方案成功地应用在一种语音门锁系统中。

简介：本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连制板的工序和详细方法，意在探录最为经济、简单而又行之有效的工艺。

简介：分析了用AT45DB161B存储数据的特点和容量，给出了采用ATMEL的串行DataflashAT45DB161B来存储行驶数据的行驶记录仪的设计方法．同时给出了W77E58和AT45DB161B的接口电路和程序代码。试验表明，采用AT45DB161B来存储数据的行驶记录仪具有体积小、容量大、功耗低、硬件接口简单、抗干扰能力强，容量扩展简单的优点。

简介：在本文中，对两种基于不同设计的，具有高转矩密度，并且转速在不高于3000r／min时有1／3弱磁区的永磁电机进行了讨论和测试。这两种电机采用齿绕线技术，逆变器供电，都是应用在变速驱动领域的典型的工业设备。这两台样机每极褙数是分数，分别为1／2相和1／4相，其设计的持续运行的功率为45kW，额定转速为1000rpm，最大转速为3000rpm。采用F热量等级时电机转矩密度可以达到31．7kNm／／m3（电机的有效体积，包括绕组端部）。文章还对电机的制造过程、测试中所用到的测试条件以及估算方法等细节做出了说明。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：（中国无锡2010年2月2日）无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会，无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

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简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。