简介：SiCMOSFET比SiIGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机（PMSM）驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kWPMSM,对功率器件分别采用SiIGBT和SiCMOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析。设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiCMOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能。
SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较
