简介:使用像增强型电荷耦合器件(intensifiedchargecoupleddevice,IccD)相机系统时,需要对像增强器的选通时刻、选通宽度以及增益大小进行控制。将现场可编程逻辑门阵列(fieldprogrammablegatearray,FPGA)和专业数字延时芯片AD9501配合使用,可以产生延时和脉宽均可大动态范围、高分辨数字调节的脉冲,同时保证延时精度,从而精确控制像增强器的选通时刻和选通宽度;利用FPGA控制数字电位器MCP42010,调节像增强器微通道板两端高压,可实现对像增强器增益的控制;采用RS485总线方式完成上位计算机与FPGA的远程通信,可实现程控功能。程控电路输出的选通脉冲,其延时动态范围为110ns~4.3ms,脉宽动态范围为0~4.3ms,分辨率均为65ps,脉冲延时抖动的均方根不大于147ps;实现了256挡位的增益调节。
简介:O644.197053496吩噻嗪在苯和环己烷中的光化学研究=Photochemicalreactionofdibenzothiazineinbenzeneandcyclohexane[刊,中]/王素华,陈德文,郭建新,王皓(中科院化学所分子动态与稳态结构国家重点实验室.北京(100080))//科学通报.—1996,41(23).—2159—2161用ESR方法研究了吩噻嗪在氧化饱和的非极性溶剂苯、环己烷中的光化学行为,并从理论上作了相关计算,这对于探索氧在吩噻嗪的光物理化学过程中的作用有重要意义。图1表1参7(方舟)O644.197053497光催化氧化后四环素的分解率与COD去除率之间关
简介:TN248.52003010215光泵腔式远红外激光器的工作参数研究=StudyofoperatingparameterofanopticallypumpedcavityNH3far-infraredlaser[刊,中]/冉勇(荆州师范学院物理系.湖北,荆州(434104)),秦家银…//激光与红外.-2002,32(4).-245-247在研究光泵腔式NH3分子远红外激光频谱特性的基础上,应用量子系统的密度矩阵理论,采用迭代法和增益迭加原理计算了以TEACO2-10R(8)泵浦的NH3分子腔式远红外激光器的最佳工作参数。提供了光泵腔式NH3分子远红外激光器(腔式NH3-OPFIRL)的工作参数之间的关系曲线。图4参8(杨妹清)
简介:O644.1899020940基于单光子吸收的PDA光限幅效应=OpticallimitingeffectresultedfromsinglephotonabsorptioninPDAcomposites[刊,中]/王江洪,沈玉全(中科院感光化学研究所215室.北京(100101)),余从煊(北京理工大学化工与材料学院.北京(100081)),宋瑛林(哈尔滨工业大学应用物理系.黑龙江,哈尔滨(150001))∥中国激光.—1998,25(12).—1091-1094采用调QNd:YAG脉冲激光照射PDABS—1/CCl3,HDABS—1/CCl3溶液,研究了此类衍生物对皮秒、纳秒脉冲的光限幅效应,证实了该光限幅效应是单光子吸收的结果.图5参2(赵桂云)
简介:通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。
简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。