简介：在教学实践中关于牛顿第三定律的内容存在一些容易混淆不清的问题。这些问题的存在既影响了教师准确掌握教材内容使之难以按物理教学大纲的要求完成教学任务;也使得学生不能较深入的理解牛顿第三定律,为使用该定律解决实际应用中的问题带来了许多障碍。本文把这些抽象复杂、教学中容易混淆的问题逐一加以梳理并阐明问题混淆的根源、错误所在以及教学对策。

简介：对Fe∶ZnSe晶体的吸收光谱进行了实验测量和理论计算。通过测量Fe∶ZnSe晶体的透射光谱,给出了Fe∶ZnSe晶体的整体损耗曲线;受限于分光光度计的反射光谱测量范围,无法对该晶体在3μm附近的反射光谱进行直接测量。因此,基于几何光学理论,对晶体的反射光谱进行了理论计算。经对比,计算得到的反射光谱曲线与分光光度计可测区间的反射光谱吻合较好。这样,通过理论计算与实验测量相结合的方法,得到了可信的晶体反射光谱数据。在考虑晶体反射损耗的情况下,计算得到了晶体的吸收光谱曲线,并在此基础上计算了晶体的掺杂浓度,结果与标称掺杂浓度相符。

简介：利用FLUKA程序模拟计算了高能质子束打靶产生仿真大气中子束流时,靶材料、靶结构及入射质子能量对中子能谱的影响。结果表明,选择重金属铅或钨作为散裂靶材,不仅中子产额较大,而且当质子能量大于3GeV且在引出方向与质子入射方向夹角为30°时,中子能谱更接近标准大气中子能谱。对中国散裂中子源(ChinaSpallationNeutronSource,CSNS)第1靶站产生的白光中子束流能谱计算表明,该能谱适于开展仿真大气中子在半导体存储器件中引起的软错误试验研究;同时,就能谱形状而言,未来CSNS第2靶站在引出方向与质子入射方向夹角为30°和15°的两条白光中子束线,更适合开展与大气中子束流相关的存储芯片和高集成电路的单粒子效应研究。

简介：运用显式动力学有限元软件LS-DYNA,对环向多点同步起爆条件下装药爆轰波的传播规律、环形药形罩在爆轰波作用下成型过程及环形射流对靶板的侵彻效应进行了数值模拟,分析了起爆点数对侵彻能力的影响。研究结果表明:环向多点同步起爆条件下,爆轰波通过相互碰撞形成统一的波浪形爆轰波前沿,爆轰波前沿到达药形罩顶端的时间沿环向并不同步,压力大小也不一致。环形射流不仅头部和尾部之间存在速度梯度,沿环向也存在一定的速度差异,难以保持形状。环形射流对靶板的破坏形式主要为塑性扩孔或塑性扩孔+剪切冲塞,形成的圆形弹孔孔径与环形药型罩对称面直径相当。环形射流的侵彻能力随起爆点数的增加而增大,当起爆点数大于10时,侵彻深度增大幅度会明显减小。