简介：为了适应Z-pinch物理实验对新材料的要求，2003年来对导电复合材料进行了初步研制。由于导电聚合物结构的特殊性，导致了导电聚合物机械加工性能很差，聚吡咯是一种具有较好的热、化学氧化和光照稳定性导电聚合物，因此利用有机材料作为基体，吸附吡咯同时进行氧化聚合，可得到性能较好导电复合材料。在导电聚合物的研制过程中，主要涉及基体材料的选择、氧化剂的选择以及反应时间对复合材料的表面电阻的影响。

简介：利用蒙特卡洛方法分析了不同束流密度0.8MeV电子辐照下介电材料导电性能的变化趋势,同时开展了0.8MeV电子辐照下聚酰亚胺(Kapton)材料导电性能实验研究.理论和实验结果表明,在0.8MeV电子辐照后,Kapton材料导电性能在不同吸收剂量率下变化较大,电导率最大可上升5个量级,电阻由1014Ω变为1012Ω,下降2个量级.

简介：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。

简介：采用二次量子化的方法求解等离子体凝胶模型下的基态能量,并计算出微扰对基态能量的一级修正,计算结果接近于实际金属。

简介：为了改善闪烁探测器对某些恶劣环境的适应能力，有时需要用硅凝胶对闪烁探测器内部进行灌封。灌封后的探测器在环境适应性考核（如高／低气压、随机振动、离心以及加速度等）中取得了成功，但灌封后探测器的灵敏度普遍降低。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。