简介：主动式活性炭吸附222Rn的方法中,吸附时间不同,222Rn在活性炭盒中的分布不均匀,这对HPGeγ谱仪测量分析中效率刻度产生影响.通过在标准222Rn室进行的主动式双滤膜活性炭吸附实验,分析得到不同吸附时间下HPGeγ谱仪对222Rn子体不同能量特征γ射线的探测效率和222Rn在双滤膜活性炭盒中进出口计数相对差异,拟合得到两者之间的关系曲线,即不同能量特征γ射线下的探测效率与222Rn进出口计数相对差异呈线性关系.通过实验得到双滤膜活性炭盒对222Rr吸附量的拟合曲线值与测222Rn仪实测值相对偏差绝对值小于5％,验证了该方法的正确性和可靠性.

简介：研制了一台小型超宽谱高功率微波辐射系统,该系统由Tesla型100kV级ns脉冲源、Peaking-chopping型亚ns气体开关及TEM喇叭天线构成.系统重复运行频率为100Hz,辐射因子rEp值为75kV,主轴辐射场中心频率为520MHz,-3dB频谱范围为230～810MHz.系统集成于一便携箱内,体积为80cm×50cm×26cm,重量约45kg.该系统结构紧凑,能够快速展开和撤收,可方便用于超宽谱高功率微波应用技术研究.

简介：通过传输矩阵法理论研究左手介质对一维光子晶体量子阱(AB)m(CBAABC)n(BA)m透射谱的影响,结果发现:当C层为双正介质时,光量子阱透射谱中出现2n+1条窄透射峰,当C层为左手介质时,呈现简并现象,光量子阱透射峰中仅出现2n-1条窄透射峰;当C层左手介质折射率负值增大时,光量子阱透射谱向禁带中心两侧移动,同时透射峰快速变窄;当C层左手介质光学厚度负值减小时,光量子阱透射谱向禁带中心靠拢,同时透射峰迅速变窄;光量子阱透射变窄对左手介质光学厚度的响应灵敏度高于对折射率负值的响应。左手介质对光量子阱透

简介：海洋光学（OceanOptics）新推出Ventana系列高处理量光谱仪，扩展了Elite系列高性能模块化光谱仪的产品组合。Ventana光谱仪的光具座配置有超高的采集效率以及高效的体相位全息光栅，为低光度应用提供了无可比拟的灵敏度和处理能力。

简介：应用于高重复频率、高功率193nm准分子激光器会聚光路中的针孔空间滤波器，除了需要考虑它的材料加工难易、厚度、针孔尺寸等因素外，还需考虑材料抗激光损伤特性。本文利用激光损伤理论中一维热流模型对无限厚和有限厚不同金属样品在高峰值功率193nm准分子激光器照射下的损伤阈值进行了分析。结果表明：铝材料在厚度为1.2μm处比其它金属的损伤阈值高，可达1.16×1010W/cm2，且材料易于加工。利用聚焦离子束技术加工了航空铝材料样品，得到了厚度为1.2和1.5μm的针孔空间滤波器样品。扫描电镜观察其具有较好圆度和内壁粗糙度，基本满足剪切干涉仪对针孔空间滤波器的需求。

简介：采用晶体相场模型模拟了异质外延过程中不同衬底倾角时外延层的生长过程,研究了较大晶格错配度(??10.0)时不同衬底倾角下外延层的生长形貌和界面平均厚度,分析了晶格失配和衬底倾角对外延层的影响。研究表明,在错配度较大时,随着衬底倾角的增大,外延层由层状生长(0°与1°)转变为岛状生长(2°)。

简介：应用晶体相场法研究大角度晶界在外加应力作用下温度对位错运动的影响。研究表明,大角度晶界在应力作用下会发生形状变化;当变形达到临界应变时,晶界褶皱处产生位错并发射进入晶粒内部;温度较低时,晶界处位错形核所需的临界应变更大。在应力作用下大角度晶界通过改变曲率和位错运动产生迁移,温度较高时有利于晶界迁移。

简介：根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用相场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实验结果吻合。

简介：介绍了一种加热去除阳极吸附气体的方法，并利用热传导方程对阳极加热过程进行了理论计算和分析。计算结果表明，要达到有效加热“强光一号”装置使用的阳极钽靶，电流幅值需为2～3．2kA，相应加热时间需为11～4S。