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  • 简介:IBM一研究组(位于纽约的TJWatson研究中心)介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET.也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时,需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题,

  • 标签: MOSFET IBM 研究人员 表面态 器件 SI
  • 简介:一、材料产业与材料研究面临的资源环境挑战材料是社会发展的基础与先导,但在各种材料的生产、使用和废弃过程中,也造成了大量的资源、能源消耗和各种环境排放。以中国2012年的统计为例,主要材料相关行业的能耗与排放在全国工业行业总量中均占有显著的比例。例如,黑色金属冶炼及压延加工业(以钢铁工业为主)占全国总能耗的16.92%,二氧化硫排放占全国总排放的11.34%,

  • 标签: 材料产业 生命周期评价方法 环境排放 二氧化硫排放 工业行业 环境挑战