简介：1965年4月，当时还是仙童公司电子工程师的摩尔在《电子学》杂志上发表文章对半导体产业做出预言——半导体芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番。1975年他对此预言做出修正，芯片上集成的晶体管和电阻数量将每两年翻一番。而就在该理论提出时，集成电路才问世6年。而摩尔所在的实验室也只能将50只晶体管和电阻集成在一个芯片上。

简介：Altera公司开始提供40nmFPGA芯片，面向通信、广播、测试、医疗和军事等各类市场的客户。此次推出的第一款器件是EP4SGX230，它含有逻辑单元（LE）、工作速率高达8．5Gbps的36个嵌入式收发器、17MbRAM以及1288个嵌入式乘法器。采用了40nm工艺节点技术，StratixIVFPGA系列包括两种型号产品：增强型（E）和收发器型（Gx）。器件还支持速率高达1067Mbps的DDR3存储器接口。StratixIVGXFPGA具有工作在8．5Gbps的48个收发器，支持开发新一代宽带通信基础设施。

简介：赛灵思公司（Xitinx，Inc．）宣布向客户交付由台积公司生产的半导体产业20nmAllProgrammable产品。赛灵思UltraScale器件采用先进的ASIC级可编程架构，以及ASIC增强型Vivado设计套件和近期推出的UltraFast设计方法，可提供媲美ASIC级的性能优势。UltraScale器件能够为客户实现1．5倍到2倍的系统级性能和集成度。

简介：近来，关于AMD下一代采用90nm工艺生产的处理器的消息流出。根据一家散热器厂商提供的资科显示，AMD的SOI90nm处理器在热量方面并不像Intel的那么高，桌面版本的Athlon64Socket939WinChester核心处理，其4000+（2.6GHz）将不会超过100W的功耗，

简介：现今是追求个性张扬的时代，色彩饱满的物品更受消费者喜欢。MP3和手机不是都能更换各种图案的彩色外壳么？IT产品也不例外，光驱就能换前险（面板）……这不，现在市场上出现了一种专为笔记本电脑设计的彩色贴膜，只要花30元，最多30分钟的制作时间，就可让你的老笔记本焕发容光，变成“彩壳”笔记本！

简介：东芝推出的新型soraT30数码相机采用时尚灵秀的设计，使其更是一个精致的香水瓶．54mm×108mm×29，5mm的身材．只有170g重，颜色由T20的太空灰变成了太空银白色，分外小巧可人。

简介：Altera发布面向Stratix10FPGA和SoC的早期试用设计软件，这是一款针对14nmFPGA的设计软件。客户现在可以启动自己的Stratix10FPGA设计，采用Stratix10HyperFlex体系结构和Intel14nm三栅极工艺，率先体验内核性能的显著提高。

简介：作为一款模拟游戏，猎杀潜航三的另一个特色便是所有的舰船的建模十分逼真，大到斯麦战列舰，小到鱼雷艇，不仅上熟悉的爱好者一眼可以叫出舰船的型号，甚至船只上救生艇内的帆布和甲板上的船员都描绘了出来，更增加了游戏的逼真感。

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简介：杨桶：VDR-M30是松下最新推出的DVD摄像机，配有8cm的可移动硬盘，技术领先的DVD-RAM和DVD-R1视频存储技术足以满足所有的DVD用P。VDR-M30另设有SD存储卡插槽。VDR-M30配有USB接口，可随意连上PC或手提电脑。另外，你也可以把硬盘取出，插进DVD播放器，或允许DVD播放的PC或手提电脑，继续欣赏视频。VDR-M30配有10倍光学变焦镜头，25英寸彩色LCD显示屏。

简介：IARSystems正式宣布IAREmbeddedWorkbenchforARM与IARPowerPac已完全支持AtmelSAM3U系列Cortex—M3芯片。IARSystems与Atmel紧密合作，在IAREmbeddedWorkbencbforARM里面添加了SAM3U的配置文件、flashloader以及工程例子，帮助用户更快速地启动项目，从而更关注项目的应用开发。IARPowerPac的最新升级中包含SAM3U的板极支持包（BSP），IARSysterns同时也发布了sAM3U的评估套件。SAM3UBSP拥有所有驱动程序、操作系统所需的底层函数以及用于连接硬件和访问开发板外设的通信软件。

简介：

简介：近几年来，MP3播放器凭借音质好、外形纤巧、存储量大和免费的音乐来源等优势迅速在数码领域崛起，销量倍增。连MD的老大SONY也加入了MP3的阵营。可是由于MP3的技术含量相对较低，使整个MP3市场牌子众多，良莠不齐。使得消费者无从下手。现在我们就来谈谈MP3的选购。

简介：

简介：意法半导体在基于ARMCortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破，推出采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。这些微控制器的特性包括：运行速度快，外设集成度高，节能降耗，提供高密度的片上SRAM和非易失性存储器。

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简介：国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新M0s—FET系列采用了IR经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻（RDS（on）），并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。除了D—PAK、I—PAK和SO-8封装之外，