简介：本文介绍了用氮化硼制备导热性PCB基材的试验方法、性能讨论、商品及用途等信息。

简介：本文简单论述了聚酰亚胺薄膜的生产工艺，并重点分析了厚度均匀性对薄膜力学性能、电气性能的影响以及测试和改进方法。

简介：单晶材料声速各向异性的特点使传统超声测量在对其厚度测量时存在一定误差。从理论上推导立方晶系单晶材料{100}晶面内的声速模型,设计加工立方晶系单晶材料的声速测量试块,测量超声入射角与晶体不同取向下纵波声速大小,求得该材料的实际声速模型。从模型中发现该材料不同晶体取向下纵波声速在5300～6130m/s内变化,变化幅度约15.6%。该模型为立方晶系单晶叶片的壁厚误差修正提供了可靠的数据支持。

简介：综述ZnS薄膜制备技术的特点.ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用,有望替代传统使用的CdS膜.

简介：本文通过二维准连续介质法模拟三角型压头在纳米压痕试验中测量铝薄膜材料断裂韧度的过程，得到了相应的载荷-位移曲线，计算出了铝薄膜在纳米尺度下的断裂韧度（KIC）和相关的力学性能参数。数值结果显示：单晶铝薄膜材料在纳米尺度下的断裂韧度（KIC）为0．216MPa·m^1/2，预测值与相关试验结果较吻合，从而表明使用准连续介质法预测纳米尺度下薄膜材料的断裂韧度是可行的。在研究中发现：对应于载荷-位移曲线的急剧下降区域，相应的位移云纹图中有明显的压痕变形集中现象，表明此处是径向裂纹发生的准确位置。计算结果证明，这种载荷-位移曲线和位移云纹图相结合的方法是计算薄膜材料径向裂纹的有效方法。

简介：文章研究了聚酰亚胺薄膜覆以5μm铜箔的挠性覆铜板的工艺和性能。同时探讨了环氧改性丙烯酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)-环氧树脂、丁腈-酚醛-环氧树脂体系的胶粘剂对性能尤其是弯曲疲劳性能的影响，聚酚氧树脂改性环氧树脂胶粘剂显著提高了覆铜板的弯曲疲劳性能；研究了涂胶工艺、胶层厚度、

简介：综述透明导电ZnO薄膜制备技术的发展状况.ZnO薄膜材料具有高稳定、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其柔性村底的应用,有望在太阳能电池领域取代传统使用的ITO膜.

简介：采用鼓包法研究聚丙烯薄膜／不锈钢基底的粘接性能。基于数字散斑相关法，对自由窗口的聚丙烯薄膜受油压发生变形的全场形貌进行测量。实验结果表明：方形窗口薄膜的剥离最先从四边的中心开始，然后扩展到薄膜的4个尖角，变形形貌从方形最后变成圆形。聚丙烯薄膜／不锈钢基底的界面粘接能为（22．60~1．55）J／m2，这个结果和圆形薄膜窗口测量的结果吻合得较好。

简介：为提高硼的去除率，研究了电磁感应精炼过程中硼杂质在CaO-SiO2-BaO-CaF2四元渣和熔硅之间的分配系数LB，讨论了四元渣系中CaO/SiO2质量比、BaO和CaF2含量、熔炼时间对LB的影响规律。结果表明：随着CaO.SiO2渣中BaO和CaF2含量的增大，LB值增大。当CaO/SiO2质量比为1.1:1、BaO和CaF2含量分别为15%和20%时，CaO.SiO2.BaO.CaF2四元渣去除熔硅中硼杂质效果最好，LB达到最大值6.94，并且LB随着熔炼时间的延长而增大。经过两次造渣后，熔硅中硼含量由3.5×10.5降到3.7×10.6，硼的去除率达到89.4%。

简介：采用MIP-700多功能离子镀膜机对4Cr14Ni14W2Mo和W9Mo3Cr4V两种不同材料进行TiN镀膜处理工艺研究,并利用WS-2005自动划痕测量仪测量其结合力,试验表明膜层结合力与基体材料的硬度有关。本研究对国内外试验中＂临界载荷＂的定义标准及结合力的判据进行研究分析,定义了当薄膜开始出现破裂、剥落,摩擦因数急剧增大时所对应的法向载荷为试验测定的临界载荷,并以此作为膜层结合的判定指标。建立4Cr14Ni14W2Mo和W9Mo3Cr4V两种不同材料真空离子镀TiN膜结合力的试验方法和膜基结合力临界载荷评价标准。

简介：在经过NaOH-HCl预处理的镍钛合金基体上,采用溶胶-凝胶法制备纳米多孔TiO2薄膜;当涂覆一层致密内膜和一层多孔外膜时,可得到无裂纹的薄膜（试样TC1＋1）。X射线衍射表明,TiO2薄膜由锐钛矿组成,在热处理的基体中还检测到少量的Ni4Ti3相。X射线光电子谱分析表明,试样TC1＋1的TiO2薄膜完全覆盖了镍钛合金基体。试样TC1＋1的表面亲水,接触角约为20°,紫外光照处理15min后接触角降低到（9.2±3.2）°。在0.9%NaCl溶液中的动电位极化实验表明,试样TC1＋1的耐蚀性高于抛光的镍钛合金试样的。

简介：采用化学方法制备直径约100μm的超大尺寸氧化石墨烯,利用Langmuir-Blodgett自组装法将其逐层沉积于基体表面,制备透明导电薄膜。经过高温还原后,平坦、紧密排列结构的石墨烯薄膜具有高导电性及透明度。在86%的透明度下,获得的表面电阻为605-/sq,此光电性质优于用化学气相沉积法在Ni表面生长的薄膜。该方法具有易操作、成本低、便于工业化大规模生产等优势。

简介：在60MPa压力，5个不同的烧结温度下将ZnO?聚苯胺?聚乙烯混合粉末压制成复合陶瓷圆片，研究烧结温度的变化对其电物理性能和显微组织的影响。结果显示，烧结温度从30°C升高至120°C，击穿电压从830V降低至610V；继续提高烧结温度，击穿电压反而升高。随着烧结温度的升高，界面电压势垒的变化与击穿电压的变化相反。样品的泄露电流很低，说明材料具有低的降解速率。烧结温度越高，非线性系数变得越小。此外，各样品均有迟滞现象，随烧结温度升高至120°C，电滞回线降低；当温度继续升高时，电滞回线变宽。紫外光谱的结果显示，有3个杂质能级，且随烧结温度的升高而降低。扫描电镜的结果显示，复合材料显微组织中含有晶粒和晶界，晶界的电阻率是影响材料的压敏特性随烧结温度变化的主要因素。

简介：采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜（Zn-TiO2）,研究不同热处理温度下Zn掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明,与未掺杂TiO2薄膜相比,Zn的加入提高了Zn-TiO2薄膜的光电化学响应,在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大,降低了897mV。SEM-EDS分析表明,Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀,XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明,TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明,Zn掺杂使Zn-TiO2吸收带边红移,扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott-Shottky曲线可知,Zn-TiO2薄膜比纯TiO2薄膜的平带电位更负,载流子量更大。这说明在平带电位、载流子量和空间电荷层宽度的协同作用下,300°C热处理后的Zn-TiO2薄膜表现了最佳的光电化学响应。

简介：研究了立方碳化物Cr3C2、VC以及稀土La添加剂对WC-Co合金中WC晶粒形貌以及合金硬度与韧性的影响。为了强化烧结过程中WC晶粒生长的驱动力,采用具有高烧结活性的纳米W和纳米C为原料。为了获得合金中WC晶粒的三维形貌,采用扫描电镜直接观察合金烧结体的自然表面。结果表明,合金添加剂对WC晶粒形貌及其粒度分布特征以及合金的硬度与韧性有较大影响。由于均质三角棱柱形板状WC晶粒的形成,WC-10Co-0.6Cr3C2-0.06La2O3合金具有极佳的硬度与韧性组合。讨论了合金中WC晶粒形貌的调控机制以及合金中WC晶粒形貌特征对合金性能的影响。

简介：2017年12月新颁布的GB/T13555-2017《挠性印制电路用聚酰亚胺薄膜覆铜板》是挠性覆铜板行业的一份重要的基础标准。本文对它的编制过程、实用意义、修订及增添内容作了解读。