简介：惯性导航加速度计是惯导系统的关键元件之一，由于单轴摆式加速度计具有量程大、精度高而被广泛使用。对悬丝作为敏感线圈的支撑,在整个单轴摆武加速度计中属关键零件，同时也是加速度计中最易失效的零件。对悬丝断口、材质、工艺过程及测试环境进行了分析研究。结果表明：过载断裂是悬丝的主要失效形式，其次为疲劳断裂；悬丝失效受综合因素的影响，包括悬丝内部缺陷、材质不均、焊接过程控制问题、测试环境因素等，其中最主要的因素是悬丝内部各种缺陷。在此基础上，提出了严格控制悬丝加工工艺过程、改用可焊接性能良好的抗氧化无铅焊料KYHFSn96．5AgCu代替普通的铅锡焊料HLSn40PbA焊接等改进措施，有效地预防了加速度计悬丝的断裂失效。

简介：采用能量守恒定律,推导出岩石热-水-力(THM)耦合条件下含裂纹试件的裂纹扩展起裂速度的计算公式。利用自行设计的THM耦合断裂导电胶电法,实时连续地测量出裂纹扩展速度。研究结果表明:起裂速度随着温度和水压的增加而增加。计算结果与试验结果吻合较好,从而验证了所推导的THM耦合断裂起裂速度计算公式的正确性。

简介：建立了用于模拟立方晶系合金三维枝晶生长的改进元胞自动机模型。该模型将枝晶尖端生长速率、界面曲率和界面能各向异性的二维方程扩展到三维直角坐标系，从而能够描述三维枝晶生长形貌演化。应用本模型模拟在确定温度梯度和抽拉速度条件下三维柱状晶生长过程的一次臂间距调整机制和不同择优取向柱状晶之间的竞争生长。使用NH4Cl-H2O透明合金进行凝固实验，模拟结果和实验结果吻合较好。

简介：介绍了某型加速度计在静态电阻测试时悬丝断裂的失效情况。通过分析工作原理,计算测试过程中悬丝所受的电应力和机械应力,结果表明：采用恒流原理万用表测试静态电阻时,加速度计摆线圈发生满偏打摆现象,导致悬丝承受较大的冲击载荷是悬丝断裂的原因。通过采用恒压原理万用表测试静态电阻,消除了线圈满偏打摆现象,有效地避免了悬丝的过载断裂失效。

简介：采用计时电流方法和对恒电位电解得到的沉积产物进行SEM观察，研究稀溶液中铅在铜电极上的成核和生长过程。根据电沉积条件不同，铅的成核分为连续成核和瞬时成核两种形式。随着溶液中Pb(II)浓度和电沉积时超电势的增加，成核形式从连续成核转变为瞬时成核。无论是哪种成核形式，在恒电位电解的成核和早期生长阶段，生成的铅颗粒都是蛛网状的。根据蛛网状颗粒的形状和导致它们生成的电沉积条件，这些颗粒属于海绵状颗粒。对连续成核和瞬时成核条件下的铅沉积产物的形貌观察表明，存在两种成核极限。

简介：建立一种有效修正相场模型来模拟小平面枝晶生长形貌。通过该模型分别研究网格大小、各向异性值、过饱和度及不同重对称性对小平面枝晶生长形貌的影响。结果表明,随着时间的推移,晶核生长为六重对称性的小平面形貌。当网格尺寸大于640×640时,小平面形貌不受模拟网格大小的影响。随着各向异性值的增加,小平面枝晶的尖端速度增大到一个饱和值后再逐渐降小。随着过饱和度的增加,晶核从一个圆形演化为发达的小平面枝晶形貌。根据Wulff理论和对应的小平面对称性模拟形貌图,证明所提出的模型是有效的,并能够拓展到任意重对称性的晶核生长的模拟。

简介：研究减压速度对真空吸铸A356合金充填行为和氧化膜卷入过程的影响。利用粒子图像测速仪通过水模拟方法观察充填行为，并获得速度场的变化规律。结果表明，介质流入型腔后，充型速度首先快速增加，随后随着减压速度的不同，充型速度的变化表现出3种不同情况：减压速度较大时，充型速度继续增加；减压速度合理时，充型速度保持不变；减压速度较低时，充型速度先降低后保持不变。充型速度越大，射流越严重，介质在重力作用下回落至液面时的速度越大，这是导致真空吸铸过程中氧化膜卷入的主要原因。推导了减压速度的设计原则，据此浇注了A356合金铸件。测试了其四点弯曲强度，并利用韦伯统计评价了铸件的可靠性，证明了减压速度设计原则的准确性。

简介：采用熔融玻璃净化技术研究了三元Fe35Cu35Si30合金的液相分离与枝晶生长特征。实验获得的最大过冷度为328K（0.24TL）。结果表明，合金在深过冷条件下具有三重凝固机制。当过冷度小于24K时，α-Fe相为初生相，凝固组织为均匀分布的枝晶。过冷度超过24K之后，合金熔体分离为富Fe区和富Cu区。在过冷度低于230K的范围内，FeSi金属间化合物为富Fe区的初生相；当过冷度高于230K时，Fe5Si3金属间化合物取代FeSi相成为富Fe区的初生相。随着合金过冷度的增加，FeSi相的生长速率逐渐升高，而Fe5Si3相的生长速率将逐渐降低。在富Cu区，初生相始终为FeSi金属间化合物。能谱分析表明，富Fe区和富Cu区的平均成分均已严重偏离初始合金成分。

简介：采用纯Al片表面浸Zn后再电镀厚Cu层的方法制备Cu/Al层状复合材料。在473~673K温度范围内对该复合材料进行退火，研究退火过程中Cu/Al界面扩散与反应、界面金属间化合物(IMCs)层的长大动力学以及Cu/Al层状复合材料电阻率。结果表明，经过473K、360h的退火处理，未观察到Cu.AlIMCs层，显示Zn中间层能有效抑制Cu/Al界面扩散。可是，当复合材料经573K及以上温度退火时，Zn层中的Zn原子主要向Cu中扩散，从Al侧到Cu侧形成CuAl2/CuAl/Cu9Al4三层结构的反应产物。IMC层遵循扩散控制的生长动力学，Cu/Al复合材料的电阻率随退火温度及时间的增加而增大。