简介：在研发成功低吸水性分子主链和捕捉金属离子型树脂的基础上．研制成功了绝缘可靠性优良的薄型IC封装用无卤素覆铜板基材。因为这种材料当绝缘层厚度为40μm时就有良好的绝缘可靠性．所以能实现厚度为100μm封装结构基板。而且在无卤素的情况下能达到UL94-V级的阻燃性，并能做到符合环保要求的无铅焊锡装配。

简介：CCLA（中国电子材料行业协会覆铜板材料分会）在《“十二五”覆铜板发展建议书》中，建议“十二五”期间，在覆铜板的科技发展方面，应继续努力提高我国覆铜板的技术水平，研发并量产几类高技术覆铜板及相关材料。因为这几类材料当前几乎都成了制约我国电子整机发展的瓶颈，其技术目前都垄断在美国、日本两个覆铜板技术强国中。我国覆铜板未来跟进或突破这些技术意义重大，将使我国由覆铜板大国跻身于覆铜板强国之列，推动我国向电子强国迈进的步伐。这些材料有一项就是封装基板用覆铜板及相关材料。

简介：介绍了半导体封装模具偏错位种类，分析了偏错位缺陷产生的原因，并针对偏错位总结了几种相应的纠正措施、改善解决方案，指出应从模具设计、材料选择、模具温度设置调整、定位零件设计、总检与控制等各方面系统优化解决。

简介：介绍了刚-挠结合型印制电路板封装技术的原理、做法和在空间技术中应用的重要意义。

简介：集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要，向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发展的方向之一。本文阐述了金属基体、增强体及其体积分数、制备工艺对复合材料热性能的影响。

简介：本文主要介绍日立化成的研发者们采用分子模拟技术等手段研发了多芳性环型低CTE树脂,通过制作的低热膨胀系数的基材验证了低CTE效果。可以应用于半导体封装结构的应用,减少封装结构的翘曲。

简介：

简介：本文介绍了一种新开发的不含卤和磷等阻燃添加剂的高阻燃性玻纤-环氧树脂覆铜板。这种覆铜板主要是由自熄性环氧树脂化合物（酚基芳烷烃类）、不可燃气体发生剂（氨基-三嗪-诺瓦拉克型固化剂,ATN型固化剂）、无机填料如炭化促进剂（钼酸锌滑石粉,ZMT）及一定量的无害金属氢氧化物如氢氧化铝（ATH）等组成。这种覆铜板有良好的阻燃性,并且耐浸焊性、耐潮湿性、电性能优良,加工性能也很好,这些好的性能使这种新型板材足可以代替现在广泛应用的FR-4印制电路基材。在覆铜板制造中同时应用ATN型固化剂和ZMT,与自熄性环氧树脂化合物、ATH等协同作用,大大地提高了阻燃性能;减少了ATH的用量,有利于改进耐浸焊性、耐潮湿性和电性能。

简介：废砂和冒口是传统铸造的两大顽疾，彻底根除废砂和冒口是铸造行业的梦想，是实现绿色铸造的最有效途径。液态模锻是一种无砂无冒口绿色铸造技术，它不仅在铝合金中得到了大规模应用。而且已经在钢铁铸件中取得了生产应用。最新的进展主要变现在：均匀充型的工艺理论已经形成，在轧辊、汽车铸钢件方面的应用研究取得了突破，发明了自调温模具和系列涂料。目前的主要问题是缺乏标准和设计规范，今后应加大应用研究和示范基地建设，为铸造企业转型升级提供参考。

简介：采用气压浸渗法制备中体积分数电子封装用Al/Si/SiC复合材料。在保证加工性能的前提下,用与Si颗粒相同尺寸（13μm）的SiC替代相同体积分数的硅颗粒制得复合材料,并研究其显微组织与性能。结果显示,颗粒分布均匀,未发现明显的孔洞。随着SiC的加入,强度和热导率将得到明显提高,但热膨胀系数变化较小,对使用影响也不大。讨论几种用于预测材料热学性能的模型。新的当量有效热导被引入后,H-J模型将适用于混杂和多颗粒尺寸分布的情况。

简介：采用液固分离工艺制备高SiC体积分数Al基电子封装壳体（54%SiC，体积分数），借助光学显微镜和扫描电镜分析壳体复合材料中SiC的形态分布及其断口形貌，并测定其物理性能和力学性能。结果表明：SiCp/Al壳体复合材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中。复合材料的密度为2.93g/cm^3，致密度为98.7%，热导率为175W/（·K），热膨胀系数为10.3×10^-6K^-1（25~400℃），抗压强度为496MPa，抗弯强度为404.5MPa。复合材料的主要断裂方式为SiC颗粒的脆性断裂同时伴随着Al基体的韧性断裂，其热导率高于Si/Al合金的，热膨胀系数与芯片材料的相匹配。

简介：作者研究了微胶囊红磷对环氧树脂基电子电气封装材料的阻燃性能、力学性能及抑娴性能的影响。添加微胶囊红磷10份量即可使材料的阻燃性能达UL94V-0级，氧指数(LOI)从19．5上升到28．2；添加量在一定范同内对材料的力学性能影响很小，随添加量从0增加至14份，材料的拉伸强度略有下降，

简介：结合预制件一次性模压成型和真空气压浸渗技术制备具有双层结构的高体积分数（60%~65%）、可激光焊接Sip-SiCp/Al混杂复合材料。该复合材料的组织结构均匀、致密，增强相颗粒均匀地分布在复合材料中，Sip/Al-SiCp/Al界面均匀、连续、结合紧密。性能测试表明，Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有密度低（2.96g/cm^3）、热导率高（194W/（m·K））、热膨胀系数小（7.0×10^-6K-1）、气密性好（1.0×10^-3（Pa·cm^3）/s）等优异特性。焊接试验表明，Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有良好的激光焊接特性，其焊缝平整、致密，微观组织均匀，没有生成明显的气孔和脆性相Al4C3。同时，Sip-SiCp/Al混杂复合材料激光封焊后优异的气密性（4.8×10^-2（Pa·cm^3）/s）能够满足现代电子封装行业对气密性的严格要求。

简介：前言：环境中的铅作为一种污染物，对人身体有重大危害，在全世界范围内不存在争议。现在ROHS法案即将正式实施，这标志着无铅化时代已经来临。日本是世界工业强国，为了提高竞争门槛，领先于竞争对手，现在已经制定了无卤覆铜板标准。日本企业积极行动，在国内全部采用无卤材料来生产覆铜板。本文介绍了一种同时满足无卤阻燃和适应无铅焊接的FR-1的研制工作。

简介：材料特别是电子材料对环境的影响越来越受到关注．欧洲和日本率先掀起覆铜板无卤化的进程。目前包括生益科技在内的一些CCL厂正在推出的无卤产品。都有或多或少的缺陷．普遍问题是板材Tg和板材其它性能之间的矛盾。我司目前成功推出无卤高Tg板材(编号：S1165）。该基板具有Tg大于160℃(DSC)、优异的耐热性能(T-300>30min)、低Z轴膨胀系数、低吸水率．具有耐CAF功能．且在后段的PCB加工中．适当调整加工参数．可以获得与FR-4相似的加工性能．因而可应用于未来无铅制程及高精度多层板。板材的最大优点是所需要的固化温度和时间可以明显较其它无卤板得到降低和缩短．提高PCB加工效率。

简介：针对模具设计不合理和模腔温度不均匀，分析了型材挤压成型及表面质量的缺陷，提出了挤压模具热冷温控装置方案，介绍了高光无痕挤压模具的结构和优化设计。实验证明快速成型模具能有效清除型材表面条纹，提高型材质量和生产效益。

简介：通过熔模铸造和连续浇铸两种方法制备富含硅和铌、不含铍的新型镍基合金,研究合金在凝固过程中的显微组织演化及其力学性能.合金凝固开始于FCC-γ的结晶,随后发生二元共晶反应,形成异构组分FCC-γ＋G相,取代含铍合金中的低熔点共晶体（FCC-γ＋NiBe）.凝固末期,在熔模铸造法制备的合金中形成AlNi6Si3和γ′相,而在连续浇铸法制备的合金中,AlNi6Si3相的形成受到抑制.Scheil凝固模型与实验结果吻合较好.

简介：本文介绍了无卤覆盖膜的特性要求和配方组成，尤其对常用的含磷阻燃剂进行了描述,在此基础上，概述了无卤覆盖膜的一些市场动态，包括高柔软性覆盖膜、高可靠性覆盖膜、高Tg覆盖膜以及感光性覆盖膜等，最后展望了无卤覆盖膜的发展前景．

简介：本文从无由化阻燃的机理出发，分析了常用的材料的特性，提供了常用的参考配方。还罗列了基材厂家的一些这类产品的特性。

简介：本文重点介绍在“无铅”FR-4覆铜板开发工作中，设计思路、基本配方以及所取得的成果．