简介：综述ZnS薄膜制备技术的特点.ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用,有望替代传统使用的CdS膜.

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简介：文章研究了聚酰亚胺薄膜覆以5μm铜箔的挠性覆铜板的工艺和性能。同时探讨了环氧改性丙烯酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)-环氧树脂、丁腈-酚醛-环氧树脂体系的胶粘剂对性能尤其是弯曲疲劳性能的影响，聚酚氧树脂改性环氧树脂胶粘剂显著提高了覆铜板的弯曲疲劳性能；研究了涂胶工艺、胶层厚度、

简介：综述透明导电ZnO薄膜制备技术的发展状况.ZnO薄膜材料具有高稳定、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其柔性村底的应用,有望在太阳能电池领域取代传统使用的ITO膜.

简介：宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本，在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。

简介：CVD金刚石可以用各种方法合成，其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜，并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是，热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。本研究试图通过控制沉积压力、输入功率等沉积参数扩大等离子体直径，以沉积出大面积金刚石薄膜。我们的目的是利用热等离子体CVD工艺沉积出生长速度高、面积大且膜厚均匀的金刚石薄膜。同时探讨了合成条件对金刚石薄膜形状的影响。本研究得出的结果如下：(1)随着沉积压力的降低，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。金刚石的结晶性则几乎不受沉积压力的影响。(2)随着等离子体电流的增加，金刚石晶粒尺寸减小，成核密度增加。增加等离子体电流也可改善金刚石的结晶性。(3)降低沉积压力和增加等离子体电流均可扩大等离子体射流，但是金刚石沉积面积的变化并不明显。(4)随着沉积压力的降低和等离子体电流的增加，金刚石的结晶性均会增加。降低沉积压力和增加等离子体电流有利于改善金刚石薄膜的均匀性。

简介：本文介绍Si3N4(代替部分金刚石浓度）配合铁基（以Fe代Co)结合剂氮化金刚石薄膜涂层节块，可大大降低成本，该节块性能良好，有较高使用效果及经济效益。

简介：作为材料的重要性质之一，硬度一直受到人们广泛的重视和研究。Cohen和Liu利用第一性原理计算从理论上预言了一种超硬性能的新材料β—C3N4，其体积弹性模量超过金刚石。CVO3组采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)，用高纯N2(99．999％)和CH4(99．9％)作反应气体，在单晶Si(100)和多晶Pt衬底上沉积碳氮薄膜，开展了对β-C3N4薄膜的制备与表征的探索性研究，取得了一定的进展。