简介:随着半导体大功率器件的发展,芯片的散热一直是制约功率器件发展的因素之一。而器件内部散热主要是通过芯片背面向外传导,芯片焊接工艺是直接影响器件散热好坏的关键因素之一,合金焊料的一个显著优点就是其导热性能好,因此在散热要求高的大功率器件中使用较为广泛(如Au80Sn20、Au99.4Sb0.6等),但由于合金焊料烧结后会产生较大的残余应力,在尺寸大于8mm×8mm的芯片上,烧结工艺应用较少。文章针对11.5mm×11.5mm超大面积芯片进行金锡合金烧结试验,经过对应力产生的原因进行分析,从材料、封装工艺等方面采取措施来降低缓释应力,并对封装产品进行可靠性考核验证。试验结果表明,没有芯片存在裂纹、碎裂现象,产品通过了可靠性验证。
简介:基于SMIC0.18μm工艺模型设计了一种低电压1.8V下的高增益、低功耗、宽输出摆幅、宽带宽的运算放大器电路。采用增益自举技术的折叠共源共栅结构极大地提高了增益,并采用辅助运放电流缩减技术有效地降低了功耗,且具有开关电容共模反馈(SC-CMFB)电路。在Cadencespectre平台上仿真得到运放具有极高的开环直流增益(111.2dB)和1.8V的宽输出摆幅,单位增益带宽576MHz,相位裕度为58.4°,功耗仅为0.792mW,在1pF的负载时仿真得到0.1%精度的建立时间为4.597ns,0.01%精度的建立时间为4.911ns。