简介：在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无线移动通信发展打开新局面。AXT一直是世界上服务无线器件制造商领先的生产砷化镓衬底的供应商,十年前,移动通信产品的发展和LED产业的异军突起使其砷化镓衬底的销售业绩惊人,而近年来晶体生长市场快速的发展促使公司做出新的转变。

简介：铟泰公司的新植球锡膏BP-3106可在植球和其他应用中产生大量的锡沉积，所需设备仅为一台配有植球钢板的SMT印刷机。

简介：

简介：新型植球锡膏BP-3106可在植球和其他应用中产生大量的锡沉积，所需设备仅为一台配有植球钢板的SMTPP刷板。此植球锡膏应用于现有的设备，可通过增加拼版数目和提高印刷速度未提高产能，而不用购购买额外的BGA植球漏斗等昂贵的设备。BP-3106植球锡膏有良好的性能、很强的抗塌陷性和极低的空洞率。既可用于区域阵列，也可用于周边BGA，可在清洗前后通过表面绝缘电阻测试。

简介：工作在中、长波红外波段（波长5-12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp＊达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D＊分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。