简介:ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力,MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。
简介:Maxim推出DS4100H100MHz、HCSL输出的晶体振荡器(XO),用于PCIExpress。作为提供高速、电流驱动逻辑(HCSL)输出的XO,DS4100H省去了由CMOS、LVDS或LVPECL格式至HCSL的转换。器件采用基本模式AT切型晶体制造工艺,集成了采用Maxim专有的SiGe工艺制作的低噪声、基于PLL的振荡器。DS4100H与基于SAW或三次泛音设计的产品相比,尺寸减小了55%,从而成为空间受限的PCIExpress应用的理想选择。
简介:将椭圆柱体引入2维声子晶体中,采用平面波展开法计算了该系统的声波禁带结构.对于不同的椭圆柱体截面形状以及旋转角度,该体系都发现了完全禁带,但其禁带的位置与大小有很大不同.当晶格常数a1=4cm,a2=3.2cm,填充率F=0.35时,椭圆柱体截面不旋转的体系只产生一个禁带,其宽度为0.453,而截面旋转π/4的体系产生3个声波禁带,其宽度分别为0.458,0.023和0.062.研究结果表明:在这种2维非均匀液态体系中,声波禁带结构受到填充率,椭圆柱体截面形状以及旋转角度的影响.
下一代晶体管露脸
Maxim推出HCSL输出的100MHz晶体振荡器
椭圆柱体二维液态声子晶体声波禁带的研究