简介：本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品.利用原子力显微镜（AFM）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,随着掺杂浓度的增加与Be受主相关的辐射相应地加强.

简介：使用低温光致发光研究（NH4）2S处理后的砷化镓（GaAs）表面的光学和化学特性，通过扫描光致发光光谱（PLmapping）和原子力显微镜（AFM）的测试结果可以确定，（NH4）2S处理GaAs表面可有效去除表面的氧化层（NH4）2S钝化后的样品的光致发光强度高于未经钝化的样品，且表面均匀性更好。该方法为Ⅲ—Ⅴ化合物半导体材料在高速和光电设备的应用提供了有效的钝化方法。

简介：利用化学方法制备出Au-CdTe复合纳米颗粒,通过理论模拟及实验测试对其散射光谱进行了研究,利用FDTD（finitialdifferencetimedomain）软件,依据Mie散射理论模拟Au-CdTe复合纳米颗粒的散射特性,进行光散射实验验证.相比CdTe量子点,Au-CdTe复合纳米颗粒散射光强度约是CdTe量子点的1.5倍.Au-CdTe复合纳米颗粒具有更强的光学特性,为Au-CdTe在光学领域的更好应用提供了理论以及实验基础.

简介：VO2是一种新型功能材料，在68℃附近可以发生低温半导体相与高温金属相之间的可逆相变。在光、热的激励下，金属-半导体相变致使光学透过率、电阻率以及磁学等特性发生突变，基于此特性，VO2有着广泛的用途。因此，具有良好性能的VO2薄膜的制备工艺、光电特性成为研究热点。综述了VO2薄膜的基本相变性能，介绍了国内外二氧化钒热致变色薄膜制备的研究进展。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.