简介：慕尼黑上海电子展打造中国信息电子产业顶级交流平台，全球芯片厂商第三季产能利用率升至90．1％，全球智能材料市场年增长率8．6％，2010年达123亿美元，小尺寸显示器件市场升温，日本片式电感器产量约占世界总量的65％，2006年中国将成为世界第二大芯片设计中心，受全球市场影响我国集成电路产业增幅放缓，电力电子行业新兴技术“牛”势显现。

简介：英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。

简介：美国半导体产业协会董事会会议计划在北京召开；SEMI预测：封装材料市场销售将达195亿美元；Hicrochlp与BMW签订SmrtShunt技术专利许可协议；赛普拉斯PSoC器件销量突破5000万片；“飞思卡尔半导体”增资扩产项目获批……

简介：ADI推出新款RF/IF放大器，英飞凌、IBH、特许半导体．三墨和飞思卡尔扩展技术合作联盟协议将协作开发和制造32纳米半导体产品，赛米控研讨会相继在北京、上海、深圳完满结束，意法推出新型运动传感器，具有更高“智慧”，

简介：本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。

简介：本文主要分成两个部分，第一部分探讨了社会经济的发展对于电力电子技术的需求，第二部分讨论了电力电子技术未来发展的若干方面。

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点，IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前，需要精确的器件模型及模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例，给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上，文中还提出了模型参数有效性验证的方法，最后给出了有效性验证结果。

简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

简介：美国国家仪器公司（NationalInstruments，简称NI）最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪（也称为基于PC的示波器）可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围，这一具有高动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本，适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试（ultrasonicnondestructivetest，NDT）的许多领域。

简介：

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：5月14日，从山东省科技厅下达的《2012年度山东省科技成果推广计划》获悉：兖矿集团新风光电子公司高压动态无功补偿装置项目列入2012年山东省科技成果推广计划。

简介：全自动焦度仪光学系统是产品设计的核心，为了提高自动焦度计的测量精度。提出一种新的测量图像。该图像在建立了16点数学模型并推导了镜片相关参数的计算方法。该算法将16个点分为四组进行计算，并取各组计算结果的平均值作为最终测量结果。根据16点数学模型的算法要求。设计了以FPGA和面阵CCD为核心的测量系统及16点图像二值化处理的算法。实验数据表明。该系统在测量精度及稳定性上都优于原有的基于4点测量图像的自动焦度计：该测量系统的技术指标已达到国家相关检验标准。

简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。