简介:O461.212005042978微空心阴极放电与准分子光源=Microhollowcathodedis-chargeandexcimerlightsource[刊,中]/江超(华中科技大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074)),王又青//量子电子学报,-2005,22(2),-142,149综述了微空心阴极放电的基本原理;详细论述了微空心阴极放电中的准分子辐射,以及微空心阴极放电的放电方式(直流放电、脉冲放电、射频放电)对准分子辐射强度和效率的影响。最后论述了微空心阴极放电的运行方式(串联运行、并联运行)对准分子辐射的影响。图13表1参21(王淑平)
简介:TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。
简介:O441.42005042976太赫兹(THz)成像的进展概况=ReviewoftheprogressofT-rayimaging[刊,中]/张蕾(首都师范大学物理系,北京(100037)),徐新龙…//量子电子学报,-2005,22(2),-129-134评述了太赫兹射线成像的进展情况。太赫兹(THz)辐射介于微波和红外之间。与微波、X射线、核磁共振(NMR)成像相比,太赫兹成像不仅能给出物体的密度信息,而且能给出频率域的信息,以及在光频、微波和X射线范围内所不能给出的材料的转动、振动信息。太赫兹射线与其他频段的电磁波相比,它能量低,不会造成对生物样